ICs have consistently migrated to s

ICs have consistently migrated to smaller feature sizes over the years, allowing more circuitry to be packed on each chip. This increased capacity per unit area can be used to decrease cost or increase functionality—see Moore's law which, in its modern interpretation, states that the number of transistors in an integrated circuit doubles every two years. In general, as the feature size shrinks, almost everything improves—the cost per unit and the switching power consumption go down, and the speed goes up. However, ICs with nanometer-scale devices are not without their problems, principal among which is leakage current (see subthreshold leakage for a discussion of this), although innovations in high-κ dielectrics aim to solve these problems. Since these speed and power consumption gains are apparent to the end user, there is fierce competition among the manufacturers to use finer geometries. This process, and the expected progress over the next few years, is described by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

Results (Thai) 1:

ICs ได้อย่างต่อเนื่องย้ายไปคุณลักษณะขนาดเล็กปี ให้วงจรเพิ่มเติมเพื่อบรรจุไว้ในชิปแต่ละ นี้เพิ่มกำลังการผลิตต่อหน่วยพื้นที่ที่สามารถใช้เพื่อลดต้นทุน หรือเพิ่มฟังก์ชันการทำงาน-ดูกฎของมัวร์ซึ่ง ในความเดิร์ ระบุว่า จำนวน transistors ในวงจรรวมเป็นคู่ทุกสองปี ได้ ทั่วไป เป็นคุณลักษณะขนาดลดขนาด เกือบทุกอย่างปรับปรุง – ต้นทุนต่อหน่วยและพลังงานสลับลงไป และความเร็วจะขึ้น อย่างไรก็ตาม ICs ด้วยอุปกรณ์ขนาด nanometer จะไม่ไม่ มีปัญหา ผู้ซึ่งเป็นกระแสรั่วไหล (ดูรั่ว subthreshold สำหรับการสนทนานี้), แม้ว่านวัตกรรมใน dielectrics κสูงมุ่งมั่นที่จะแก้ปัญหาเหล่านี้ เนื่องจากกำไรเหล่านี้ปริมาณความเร็วและพลังชัดเจนผู้ ไม่มีการแข่งขันที่รุนแรงระหว่างผู้ผลิตจะใช้รูปทรงเรขาคณิตที่ปลีกย่อย กระบวนการนี้ และความคืบหน้าคาดว่าไม่กี่ปีถัดไป มีอธิบาย โดยแผนเทคโนโลยีนานาชาติสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ (ITRS)

Results (Thai) 2:

วงจรรวมได้อพยพมาอย่างต่อเนื่องให้มีขนาดเล็กลงมีปีที่ผ่านมาช่วยให้วงจรมากขึ้นที่จะได้รับการบรรจุในแต่ละชิป นี้กำลังการผลิตที่เพิ่มขึ้นต่อหน่วยพื้นที่สามารถใช้ในการลดค่าใช้จ่ายหรือเพิ่มฟังก์ชันการทำงานที่มองเห็นกฎของมัวร์ซึ่งในปัจจุบันความหมายของมันระบุว่าจำนวนของทรานซิสเตอร์ในวงจรรวมคู่ทุกสองปี โดยทั่วไปเป็นขนาดที่ลดลงเกือบทุกอย่างดีขึ้น-ต้นทุนต่อหน่วยและการใช้พลังงานเปลี่ยนไปลงและความเร็วขึ้นไป อย่างไรก็ตามวงจรรวมกับอุปกรณ์นาโนเมตรขนาดไม่ได้โดยไม่มีปัญหาของพวกเขาหลักหมู่ที่เป็นกระแสรั่วไหล (ดูการรั่วไหล subthreshold สำหรับการอภิปรายนี้) แม้ว่านวัตกรรมใน DIELECTRICS สูงκจุดมุ่งหมายที่จะแก้ปัญหาเหล​​่านี้ ตั้งแต่ความเร็วและการใช้พลังงานเหล่านี้กำไรจะปรากฏให้ผู้ใช้ที่มีการแข่งขันที่รุนแรงระหว่างผู้ผลิตที่จะใช้รูปทรงเรขาคณิตปลีกย่อย กระบวนการนี​​้และความคืบหน้าคาดว่าในอีกไม่กี่ปีข้างหน้าอธิบายโดยเทคโนโลยี Roadmap ระหว่างประเทศเพื่อการ Semiconductors (ITRS)

Results (Thai) 3:

ICS มีอย่างต่อเนื่องย้ายไปขนาดเล็กมีขนาดกว่าปีที่ช่วยให้วงจรมากขึ้นที่จะได้รับการบรรจุในแต่ละชิป นี้ความจุที่เพิ่มขึ้นต่อพื้นที่สามารถใช้เพื่อลดต้นทุนหรือเพิ่มฟังก์ชันการทำงานดูกฎของมัวร์ซึ่งในการตีความที่ทันสมัยของ ระบุว่าจำนวนทรานซิสเตอร์ในวงจรรวมคู่ทุกสองปี ทั่วไป เป็นคุณสมบัติที่ขนาดหดตัวเกือบทุกอย่างดีขึ้น ต้นทุนต่อหน่วย และการใช้พลังงานลง และเพิ่มความเร็วขึ้น อย่างไรก็ตาม ไอซีกับอุปกรณ์ระดับนาโนไม่ได้ปราศจากปัญหา ซึ่งเป็นหลักของการรั่วไหลในปัจจุบัน ( ดู subthreshold รั่วสำหรับการสนทนานี้ ถึงแม้ว่านวัตกรรมสูง - κชนิดมุ่งมั่นที่จะแก้ปัญหาเหล่านี้เนื่องจากความเร็วและพลังงานเหล่านี้ได้รับแจ้งให้ผู้ใช้ มีการแข่งขันที่รุนแรงในหมู่ผู้ผลิตใช้โครงสร้างปลีกย่อย กระบวนการนี้ และคาดว่าจะก้าวหน้ากว่าไม่กี่ปีถัดไป , อธิบายตามแผนงานเทคโนโลยีนานาชาติสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ ( itrs )