What makes flash memory faster, mor

What makes flash memory faster, more energy efficient and more shock resistant is the lack of moving parts. There are no spinning disks or moving heads reading and writing to a disk. Flash memory devices are complete small systems where every component is soldered to a printed circuit board (PCB). Semiconductor memories (flash memories) can be divided into two major categories: RAM (Random access memory) and ROM (Read only memory). Data on ROM memory can only be written and the information will be stored virtually forever, while RAM memory is rewritable and loses its information as soon as the device loses power. In the 1970’s the first non-Volatile memories (NVM) were invented. Stored information on NVMs can be altered but is also preserved after power off. In the early 1990’s the first NVMs found application in flash memories used for USB sticks and flash memory cards. Two different types of flash memories exist: NAND and NOR.

Results (Thai) 1:

สิ่งที่ทำให้หน่วยความจำแฟลชได้เร็วขึ้น พลังงานมากขึ้นมากขึ้น ทนต่อการกระแทก และมีประสิทธิภาพคือ การขาดชิ้นส่วน ไม่มีดิสก์หมุนหรือเคลื่อนหัวอ่าน และเขียนไปยังดิสก์ หน่วยความจำที่อุปกรณ์เป็นระบบขนาดเล็กที่สมบูรณ์ซึ่งทุกองค์ประกอบคือบัดกรีเพื่อบอร์ดวงจรพิมพ์ (PCB) ความทรงจำสารกึ่งตัวนำ (ความทรงจำแฟลช) สามารถแบ่งได้เป็นสองประเภทใหญ่ ๆ คือ: RAM (สุ่มการเข้าถึงหน่วยความจำ) และ ROM (อ่านหน่วยความจำเท่านั้น) เท่านั้นสามารถเขียนข้อมูลบนหน่วยความจำรอม และข้อมูลจะถูกเก็บไว้ในขณะที่หน่วยความจำ RAM เป็นแบบเขียนซ้ำได้ และสูญเสียข้อมูลที่เร็วที่สุดเท่าที่อุปกรณ์หมดพลังงานแทบตลอดไป ความทรงจำไม่ลบแรก (NVM) ถูกคิดค้นในปี 1970 ข้อมูลที่เก็บไว้บน NVMs สามารถเปลี่ยนแปลง แต่ยังไว้หลังจากปิด ในต้นปี 1990 NVMs แรกพบแอพลิเคชันในความทรงจำแฟลชที่ใช้สำหรับแท่ง USB และแฟลชการ์ด มีอยู่สองประเภทความจำแฟลช: NAND และ NOR

Results (Thai) 2:

สิ่งที่ทำให้หน่วยความจำแฟลชได้เร็วขึ้นพลังงานที่มีประสิทธิภาพและช็อกทนคือการขาดชิ้นส่วนที่เคลื่อนไหว ไม่มีดิสก์ปั่นหรือหัวย้ายอ่านและการเขียนไปยังดิสก์มี อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชเป็นระบบขนาดเล็กที่สมบูรณ์ที่ทุกส่วนจะบัดกรีที่แผงวงจรพิมพ์ (PCB) ความทรงจำที่เซมิคอนดักเตอร์ (ความทรงจำ Flash) สามารถแบ่งออกเป็นสองประเภทหลัก: RAM (หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม) และ ROM (อ่านหน่วยความจำเท่านั้น) ข้อมูลในหน่วยความจำรอมเท่านั้นที่สามารถเขียนและข้อมูลจะถูกเก็บไว้แทบตลอดไปในขณะที่หน่วยความจำ RAM เป็นที่เขียนทับได้และสูญเสียข้อมูลเร็วที่สุดเท่าที่อุปกรณ์ที่สูญเสียพลังงาน ในปี 1970 ความทรงจำที่ไม่ระเหยแรก (NVM) ถูกคิดค้น ข้อมูลที่เก็บไว้ใน NVMs สามารถเปลี่ยนแปลง แต่ยังถูกเก็บรักษาไว้หลังจากที่ออกจากอำนาจ ในช่วงต้นปี 1990 ที่ NVMs แรกที่พบการประยุกต์ใช้ในความทรงจำแฟลชใช้สำหรับแท่ง USB และการ์ดหน่วยความจำแฟลช สองประเภทที่แตกต่างกันของความทรงจำแฟลชที่มีอยู่: NAND และ NOR

Results (Thai) 3:

อะไรที่ทำให้หน่วยความจำแฟลชได้เร็วขึ้น , พลังงานมีประสิทธิภาพมากขึ้นและมากขึ้นช็อกทนคือการขาดของชิ้นส่วนที่เคลื่อนไหว ไม่มีดิสก์หมุนหรือเคลื่อนหัวอ่านและเขียนไปยังดิสก์ อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชเป็นระบบขนาดเล็กที่สมบูรณ์ที่ทุกองค์ประกอบจะบัดกรีกับแผ่นวงจรพิมพ์ ( PCB ) ความทรงจำเซมิคอนดักเตอร์ ( เม็ดแฟลช ) สามารถแบ่งออกเป็นสองประเภทหลัก : แรม ( หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม ) และรอม ( หน่วยความจำอ่านอย่างเดียว ) ข้อมูลในรอม หน่วยความจำที่สามารถเขียนและข้อมูลจะถูกเก็บไว้แทบตลอด ในขณะที่หน่วยความจำ RAM Availability และสูญเสียข้อมูลทันทีที่อุปกรณ์ที่สูญเสียอำนาจ ใน 1970 เป็นครั้งแรกที่ไม่ระเหยความทรงจำ ( NVM ) ถูกคิดค้น ข้อมูลที่เก็บไว้ใน nvms สามารถเปลี่ยนแปลงได้ แต่ก็เก็บรักษาไว้ หลังจากที่ปิดไฟ . ในช่วงต้นปี 1990 เป็น nvms พบครั้งแรกในความทรงจำที่ใช้โปรแกรมแฟลช USB sticks และการ์ดหน่วยความจำแฟลช สองประเภทที่แตกต่างกันของเม็ดแฟลช และก็อยู่ : .