l. to raise from the top to the 8.

l. to raise from the top to the 8. to remove the coating

bottom

9. to protect from harmful effects

2. the electron may be tightly 10. advances in technology

bound to atoms

l l. the deposition of thin films

3. conductivity poses a problem
12. to provide precise dimensions

4. to improve the resistance

13. to select the areas on a wafer

5. modest expenditure of energy
l 4. to involve the use of a glow dis

6. the dopants are diffused into

charge

15. to specify the pattern of each

semiconductor crystals

layer

7. to expose the wafer to an oxi-

dizing atmosphere

Results (Russian) 2:

л. чтобы поднять с вершины к 8. удалять покрытие нижней 9. для защиты от вредного воздействия 2. электрон может быть плотно 10. успехи в технологии, связанные с атомами л л. осаждение тонких пленок 3. проводимость возникает проблема 12. чтобы обеспечить точные размеры 4. для повышения сопротивления 13. выбрать участки на пластине 5. скромный расход энергии л 4. связаны с использованием тлеющего DIS 6. легирующие распространяются в плату 15. указать шаблон каждого полупроводниковые кристаллы слоя 7. выставить пластины к окисле- атмосфере dizing

Results (Russian) 3:

л. в целях повышения сверху на 8.для устранения покрытия дна



9.для защиты от вредных последствий,

2.электрон может быть жестко 10.прогресс в технологии



я обязан атомы. осаждения тонких пленок

3.проводимость создает проблему
12.представить точные размеры

4.повышение сопротивления

13.выбора областей на пластины

5.скромные расходы энергии
1 4.связана с применением свечение соп

6.в dopants распространяются в



15 обвинений.уточнить характер каждого





полупроводниковые кристаллы слой 7.разоблачить вафли на oxi -


dizing атмосферы