The conventional ion senwtlve senso

The conventional ion senwtlve sensors, such as glass membrane electrodes,
coated unre electrodes, metal-metal oxide electrodes, etc , convert a
non-electrical quantity mto an electrical quantity, which can then be
measured wrth approplnate electronic clrcultry connected m senes Unpredictable
devlatlons m transducer parameters cannot be controlled m such
a measunng system Because the ISFET also has an electrical mput besides
the ion-senatlve input, this results m unique apphcatlon posslbllltles, mth
consequences for the development of adequate electromc clrcultry In order
to obtzun an insight mto this matter, It 1s useful first to understand the electmcal
behavlour of a MOSFET, from which the ISFET behavlow can be
denved. Based on this theory some electromc design startmg points can be
developed for an appropnate ISFET apphcatlon

Results (Thai) 1:

ไอออนทั่วไป senwtlve เซนเซอร์ เช่นหุงตเมมเบรนแก้วunre เคลือบหุงต โลหะโลหะออกไซด์หุงต ฯลฯ แปลงเป็นปริมาณไม่ใช่ไฟฟ้า mto เป็นปริมาณไฟฟ้า ที่แล้วสามารถวัด wrth approplnate clrcultry อิเล็กทรอนิกส์เชื่อมต่อเมตรทัศนียภาพจึงdevlatlons m พิกัดพารามิเตอร์ไม่สามารถควบคุม m ดังกล่าวระบบ measunng เนื่องจาก ISFET ยัง mput การไฟฟ้านอกเหนือจากเข้าไอออน-senatlve, posslbllltles apphcatlon เฉพาะ m ผล เดือนนี้ต่อการพัฒนา clrcultry electromc เพียงพอตามลำดับการ obtzun mto เข้าใจผิด นี้เรื่อง มัน 1s ประโยชน์ก่อนเพื่อเข้าใจ electmcalbehavlour ของมอสเฟต ที่ ISFET behavlow สามารถdenved ตามทฤษฎีนี้บางจุด startmg ออกแบบ electromc สามารถพัฒนาสำหรับการ appropnate ISFET apphcatlon

Results (Thai) 2:

เซ็นเซอร์ senwtlve
ไอออนธรรมดาเช่นขั้วไฟฟ้าเมมเบรนแก้วเคลือบขั้วไฟฟ้าunre โลหะโลหะขั้วออกไซด์ ฯลฯ
แปลงปริมาณที่ไม่ใช่ไฟฟ้าMTO
ปริมาณไฟฟ้าซึ่งจากนั้นจะสามารถวัดwrth approplnate clrcultry อิเล็กทรอนิกส์ที่เชื่อมต่อเมตร Senes ไม่แน่นอน
devlatlons เมตร
พารามิเตอร์ตัวแปลงสัญญาณไม่สามารถควบคุมเมตรเช่นระบบmeasunng เพราะ ISFET ยังมี mput
ไฟฟ้านอกจากนี้การป้อนข้อมูลไอออนsenatlve ผลนี้ m posslbllltles apphcatlon
ที่ไม่ซ้ำกันเดือนผลที่ตามมาสำหรับการพัฒนาของclrcultry electromc
เพียงพอเพื่อที่จะobtzun เข้าใจ MTO เรื่องนี้ มัน 1s ประโยชน์แรกที่จะเข้าใจ electmcal
behavlour ของมอสเฟตจากที่ behavlow ISFET สามารถ
denved ตามทฤษฎีนี้บางจุด startmg ออกแบบ electromc
สามารถพัฒนาสำหรับappropnate ISFET apphcatlon

Results (Thai) 3:

ปกติ senwtlve ไอออนเซ็นเซอร์ เช่น เยื่อเคลือบขั้วไฟฟ้าแก้ว
unre ขั้วไฟฟ้าโลหะออกไซด์ของโลหะ electrodes , ฯลฯ แปลง
ไม่ใช่ไฟฟ้าปริมาณ MTO ปริมาณไฟฟ้า ซึ่งสามารถวัดได้ของ approplnate clrcultry อิเล็กทรอนิกส์เชื่อมต่อ

devlatlons M M senes คาดเดาไม่ได้ transducer พารามิเตอร์ที่ไม่สามารถควบคุมได้ เช่น
Mเป็นระบบ measunng เพราะ isfet ยังมีไฟฟ้า mput นอกจากนี้
ไอออน senatlve ใส่ผลลัพธ์ที่เฉพาะ apphcatlon posslbllltles M ,
เดือนผลที่ตามมาสำหรับการพัฒนา clrcultry electromc เพียงพอในการสั่งซื้อ
เพื่อ obtzun ลึก MTO เรื่องนี้มัน 1s ประโยชน์แรกที่จะเข้าใจ behavlour electmcal
ของ MOSFET , ซึ่ง isfet behavlow สามารถ
denved .