The control of the SVC can be assum

The control of the SVC can be assumed as a PI controller
that regulates the firing angle of the thyristors of the thyristor
controlled reactor (TCR). In this case it is assumed that the
available capacitance and inductance of the SVC has the same
rating, and that the inductance can be controlled to zero reactive
current. The simple control structure assumed for the SVC for
determining the firing angle , and by that the resulting shunt
impedance of the SVC is showed in Fig. 3(b).
Both the STATCOM and SVC are controlled so as to obtain
1 pu rated grid voltage before and after the fault. During and immediately
after the fault, the compensating device will be controlled
to its limits so as to give the maximum reactive compensation
possible within the specified ratings.

Results (Thai) 1:

การควบคุมเล็กสามารถถือว่าเป็นตัวควบคุม PIที่กำหนดมุมยิงของ thyristors ของ thyristorควบคุมเครื่องปฏิกรณ์ (TCR) ในกรณีนี้ จะถือว่าเป็นที่ความว่างและ inductance ของเล็กมีเหมือนกันจัดอันดับ และว่า inductance ที่สามารถควบคุมปฏิกิริยาเป็นศูนย์ปัจจุบัน โครงสร้างควบคุมอย่างสมมติสำหรับเล็กสำหรับกำหนดมุมยิง และ โดยที่ การเกิด shuntความต้านทานของเล็กถูกพบใน Fig. 3(b)มีควบคุมทั้ง STATCOM และเล็กเพื่อได้รับปู 1 ที่แรงดันกริดก่อน และ หลังข้อบกพร่อง ในระหว่าง และทันทีหลังจากข้อบกพร่อง อุปกรณ์ compensating จะควบคุมการจำกัดความเพื่อให้ค่าตอบแทนปฏิกิริยาสูงสุดเป็นไปได้ในการจัดอันดับที่ระบุ

Results (Thai) 2:

การควบคุมของ SVC สามารถสันนิษฐานเป็นตัวควบคุม PI
ที่ควบคุมมุมการยิงของไทริสเตอร์ของทรานซิสเตอร์
ควบคุมเครื่องปฏิกรณ์ (TCR) ในกรณีนี้มันจะสันนิษฐานว่า
ความจุที่มีอยู่และเหนี่ยวนำของ SVC เดียวกันมี
คะแนนและที่เหนี่ยวนำสามารถควบคุมให้เป็นศูนย์ปฏิกิริยา
ในปัจจุบัน โครงสร้างการควบคุมง่ายสันนิษฐานสำหรับ SVC สำหรับ
การกำหนดมุมยิงและโดยที่แบ่งผล
ความต้านทานของ SVC จะแสดงให้เห็นในรูป 3 (ข).
ทั้ง STATCOM และ SVC จะถูกควบคุมเพื่อให้ได้
1 PU จัดอันดับแรงดันไฟฟ้าตารางก่อนและหลังความผิด ระหว่างและทันที
หลังจากความผิด, อุปกรณ์ชดเชยจะถูกควบคุม
เพื่อขีด จำกัด ของมันเพื่อที่จะให้การชดเชยปฏิกิริยาสูงสุด
ที่เป็นไปได้ภายในการจัดอันดับที่ระบุ

Results (Thai) 3:

การควบคุมของ SVC ที่สามารถถือว่าเป็นตัวควบคุม PI
ที่ควบคุมมุมจุดชนวนของ thyristors ของผู้บริหาร
ควบคุมเครื่องปฏิกรณ์ ( ประวัติ ) ในกรณีนี้จะถือว่า
ของความจุและการเหนี่ยวนำของ SVC ได้ระดับเดียวกัน
และที่หรือสามารถควบคุมศูนย์ปฏิกิริยา
ปัจจุบัน โครงสร้างการควบคุมที่ง่ายสำหรับ SVC สำหรับ
สันนิษฐานหามุมยิง และนั่นส่งผลให้หลอดเลือด
อิมพีแดนซ์ของ SVC จะแสดงในรูปที่ 3 ( B )
2 statcom SVC และควบคุมเพื่อให้ได้อันดับ 1 PU
ตารางแรงดันก่อนและหลังผิด ระหว่างและทันที
หลังจากความผิด , การชดเชยอุปกรณ์จะถูกควบคุม
ถึงขีดจำกัดเพื่อให้สูงสุดเป็นค่าตอบแทน
เป็นไปได้ภายในกำหนดเรตติ้ง