As of 2014, the vast majority of al

As of 2014, the vast majority of all transistors are fabricated in a single layer on one side of a chip of silicon in a flat 2-dimensional planar process. Researchers have produced prototypes of several promising alternatives, such as:

Results (Thai) 1:

ณ ปี 2014, transistors ทั้งหมดส่วนใหญ่จะ fabricated ชั้นเดียวด้านหนึ่งของชิปซิลิคอนในกระบวนระนาบแบน 2 มิติ นักวิจัยได้ผลิตต้นแบบหลายตัวเลือกสัญญา เช่น:

Results (Thai) 2:

ในฐานะของ 2014 ส่วนใหญ่ของทรานซิสเตอร์ทั้งหมดจะถูกประดิษฐ์ในชั้นเดียวบนด้านหนึ่งของชิปซิลิกอนในกระบวนการภาพถ่ายแบน 2 มิติ นักวิจัยได้ผลิตต้นแบบของทางเลือกที่มีแนวโน้มหลายประการเช่น:

Results (Thai) 3:

โดย 2014 , ส่วนใหญ่ของทรานซิสเตอร์จะถูกประดิษฐ์ในชั้นเดียวบนด้านหนึ่งของชิปซิลิกอนในกระบวนการระนาบ 2 มิติแบน นักวิจัยได้สร้างต้นแบบของทางเลือก สัญญาต่าง ๆ เช่น :