Keywords: Zno, Nanorods, Seed layer

Keywords: Zno, Nanorods, Seed layer, Annealing temperature, Substrate materials 1. INTRODUCTION One-dimensional (ID) zinc oxide (ZnO) nanorods (NRS), which are direct wide band gap (3.37 eV) semiconductor with a large exciton binding energy (60 meV) at room temperature, have attracted considerable attention because of their application potential in a variety of fields, including chemical sensors, photodetectors, field-effect transistors (TFTS), piezoelectric generators, and solar cells [1-61. The length and alignment of the Zno NRs are vital parameters and play determining roles in their properties. These could be effectively improved by the seed layer, which reduces the lattice mismatch between the NRs and a substrate and leads to the growth of well-aligned NRs on the substrate [7,8]. In this study, the properties of Zno NRs were investigated using different seed annealing temperatures (150-450 °C) prepared by the sol-gel solution method and NR growth times (3-12 h) on

Results (Thai) 1:

คำสำคัญ: ZnO, แท่งนาโนชั้นเมล็ดอุณหภูมิการหลอมวัสดุพื้นผิว 1. บทนำหนึ่งมิติ (ID) ซิงค์ออกไซด์ (ZnO) แท่งนาโน (NRS) ซึ่งตรงช่องว่างวงกว้าง (3.37 eV) เซมิคอนดักเตอร์ที่มีพลังงาน exciton ขนาดใหญ่ที่มีผลผูกพัน (60 MeV) ที่อุณหภูมิห้องได้ดึงดูดความสนใจมากเพราะศักยภาพของแอพลิเคชันของพวกเขาในสาขาวิชาต่าง ๆ รวมทั้งสารเคมีที่เซ็นเซอร์ตรวจจับแสงข้อมูลผลทรานซิสเตอร์ (Tfts) กำเนิด piezoelectric และเซลล์แสงอาทิตย์ [1-61 ความยาวและการจัดตำแหน่งของ ZnO NRs พารามิเตอร์ที่สำคัญและบทบาทการเล่นในการพิจารณาคุณสมบัติของพวกเขา เหล่านี้อาจจะดีขึ้นได้อย่างมีประสิทธิภาพโดยชั้นเมล็ดซึ่งจะช่วยลดไม่ตรงกันตาข่ายระหว่าง NRs และสารตั้งต้นและนำไปสู่การเจริญเติบโตของ NRs ดีชิดบนพื้นผิว [7,8] ในการศึกษานี้

Results (Thai) 2:

คำสำคัญ: ซโน, Nanorods, ชั้นเมล็ด, อุณหภูมิการอบ, วัสดุพื้นผิว 1. แนะนำหนึ่งมิติ (ID) สังกะสีออกไซด์ (ZnO) nanorods (NRS) ซึ่งมีช่องว่างวงกว้าง (๓.๓๗ eV) เซมิคอนดักเตอร์ที่มีความตื่นเต้นขนาดใหญ่ในการเชื่อมโยงพลังงาน (๖๐ meV) ที่อุณหภูมิห้องได้ดึงดูดความสนใจมากเพราะการใช้งานของพวกเขา ศักยภาพในความหลากหลายของสาขารวมทั้งเซ็นเซอร์เคมี, เครื่องตรวจจับแสง, ทรานซิสเตอร์ผลสนาม (TFTS), เครื่องกำเนิดไฟฟ้า piezoelectric และเซลล์แสงอาทิตย์ [1-61 ความยาวและการจัดตำแหน่งของ Zno NRs เป็นพารามิเตอร์สำคัญและเล่นกำหนดบทบาทในคุณสมบัติของพวกเขา เหล่านี้อาจจะได้รับการปรับปรุงอย่างมีประสิทธิภาพโดยชั้นเมล็ด, ซึ่งจะช่วยลดตาข่ายไม่ตรงกันระหว่าง NRs และสารตั้งต้นและนำไปสู่การเจริญเติบโตของ NRs จัดตำแหน่งดีบนพื้นผิว [7, 8]. ในการศึกษานี้, คุณสมบัติของ Zno NRs ถูกตรวจสอบโดยใช้การหลอมเมล็ดพืชที่แตกต่างกัน (150-450 ° c) เตรียมโดยวิธีการแก้ปัญหาโซลเจลและยางพาราเวลาการเจริญเติบโต (3-12 h) บน

Results (Thai) 3:

สังกะสีออกไซด์นาโนบาร์ชั้นเมล็ดอุณหภูมิการอบอ่อนวัสดุพื้นผิว มิติเดียวซิงค์ออกไซด์นาโนบาร์เป็นชนิดของวัสดุสารกึ่งตัวนำ 3.37ev โดยตรงซึ่งมีขนาดใหญ่กระตุ้นพลังงานผูกพันที่อุณหภูมิห้อง TFT เครื่องกำเนิดไฟฟ้าเพียโซอิเล็กทริกและเซลล์แสงอาทิตย์ ความยาวและทิศทางของ nanocrystalline สังกะสีออกไซด์เป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญสำหรับการกำหนดคุณสมบัติของพวกเขา เมล็ดพันธุ์ชั้นได้อย่างมีประสิทธิภาพสามารถปรับปรุงคุณสมบัติเหล่านี้ลดความไม่ตรงกันข้ามระหว่าง NRs และพื้นผิวและนำไปสู่การเจริญเติบโตของ NRs อย่างสม่ำเสมอจัดบนพื้นผิว การศึกษาการเตรียมนาโนซิงค์ออกไซด์ที่อุณหภูมิการอบอ่อนของเมล็ดพันธุ์ที่แตกต่างกันและ 3-12h โดยโซลเจลโซลูชั่น