For the fabrication of chemiresisti

For the fabrication of chemiresistive/field-effect transistor
(FET)-type biosensors, graphene is first transferred on to a substrate
due to its planar geometry, followed by patterning of metal
contacts using electron beam lithography or photolithography (He
et al., 2012). On the other hand, carbon nanotube-based FETs are
typically fabricated by first patterning the metal electrodes on
the substrate followed by bridging of the electrode gap with carbon
nanotubes (Kim et al., 2007). Fig. 5(a and b) shows the typical con-
figuration of a FET-type biosensor with the carbon nanomaterial
(graphene or CNTs) as a channel connecting the source (S) and
drain (D) electrodes. The current–voltage (I–V) characteristics
between the source and drain for various gate voltages or changes
in current at fixed gate potential can be measured and correlated to
analyte concentration. Unlike the conventional metal-oxide semiconductor
field-effect transistors (MOSFETs), where the conducting
channel is buried in the bulk material, the nanotubes or graphene
are located on the surface of the supporting substrate in direct
Fig. 2. Schematic showing evolution of graphene growth via CVD on a Cu foil: (a) annealing of Cu foil and enlargement of Cu grains, (b) decomposition of hydrocarbons
resulting in nucleation of graphene grains, and (c) growth of graphene from the nucleation sites (Mattevi et al., 2011).
Fig. 3. Construction of carbon nanotube from a single graphene sheet by rolling up
sheet along wrapping vector C. Wrapping vectors along the dotted lines lead to
tubes that are zigzag or armchair (Wilder et al., 1998).
Fig. 4. Schematic representation of a three electrode system.
88 P. Ramnani et al. / Chemosphere 143 (2016) 85–98
contact with the environment. (Liu and Guo, 2012; Xu et al., 2014)
Upon incubation and specific binding of chemical/biological analytes,
the conductance changes and the change is used to quantify
the analyte concentration. An alternate transistor configuration
shown in Fig. 5(c and d) with a two-terminal electrodes and no
gate, called a chemiresistor, can also be used. In a chemiresistor,
the absorbed molecules on the surface are used to modulate the
conductance instead of a gate electrode (Kim et al., 2007).

Results (Thai) 1:

สำหรับการผลิตของทรานซิสเตอร์ chemiresistive/ฟิลด์ ผล(FET) -ชนิด biosensors, graphene เป็นครั้งแรกโอนไปกับพื้นผิวเนื่องจากเรขาคณิตของระนาบ ตามแบบโลหะผู้ติดต่อที่ใช้การทำลวดลายวงจรลำแสงอิเล็กตรอนหรือการสร้างลายวงจรด้วยแสง (เขาet al. 2012) บนมืออื่น ๆ คาร์บอนทิวบ์ตาม FETs มีโดยทั่วไปประดิษฐ์ โดย patterning ขั้วไฟฟ้าโลหะบนพื้นผิวตาม ด้วยการเชื่อมโยงของช่องว่างด้วยคาร์บอนอิเล็กโทรดnanotubes (Kim et al. 2007) รูป 5(a and b) แสดงคอน - ทั่วไปfiguration ของ biosensor FET ชนิดกับ nanomaterial คาร์บอน(graphene หรือ CNTs) เป็นช่องเชื่อมต่อต้นทาง (S) และใช้ขั้วไฟฟ้า (D) ลักษณะกระแสแรงดันไฟฟ้า (I-V)ระหว่างต้นทางและระบายแรงดันประตูหรือการเปลี่ยนแปลงต่าง ๆในปัจจุบันประตูคง ศักยภาพสามารถวัด และสัมพันธ์ความเข้มข้นของ analyte ซึ่งแตกต่างจากสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์-ทั่วไปฟิลด์–ผลทรานซิสเตอร์ (มอสเฟส), ที่ทำการช่องที่ถูกฝังอยู่ในกลุ่มวัสดุ nanotubes หรือ grapheneตั้งอยู่บนพื้นผิวของพื้นผิวสนับสนุนในโดยตรงรูป 2 แผนผังแสดงวิวัฒนาการของ graphene ทาง CVD บนฟอยล์ Cu: (ก) การหลอมของ Cu ฟอยล์และขยายของธัญพืช Cu, (ข) การสลายตัวของไฮโดรคาร์บอนเกิด nucleation ของ graphene ธัญพืช และ (c) การเติบโตของ graphene จากไซต์ nucleation มากกว่า (Mattevi et al. 2011)รูป 3 โครงสร้างของท่อนาโนคาร์บอนจากแผ่น graphene เดียวโดยกลิ้งขึ้นแผ่นพร้อมตัดตัด C. เวกเตอร์เวกเตอร์ตามนำเส้นประไปหลอดที่ zigzag หรืออาร์มแชร์ (Wilder et al. 1998)รูป 4 ผังระบบไฟฟ้าสาม88 P. Ramnani ร้อยเอ็ด / Chemosphere 143 (2016) 85-98ติดต่อกับสภาพแวดล้อม (Liu และกู 2012 Xu ร้อยเอ็ด 2014)กกไข่และรวมเฉพาะของสารเคมี/ชีวภาพวิเคราะห์ใช้วัดปริมาณการเปลี่ยนแปลงการนำพาและการเปลี่ยนแปลงความเข้มข้นของ analyte การกำหนดค่าทดแทนทรานซิสเตอร์แสดงในรูป 5 (c และ d) กับขั้วสองเทอร์มินัลและไม่มีนอกจากนี้ยังสามารถใช้ประตู เรียกว่า chemiresistor ใน chemiresistorโมเลกุลดูดซึมบนพื้นผิวที่ใช้ในการปรับตัวการนำพาแทนตัวประตูไฟฟ้า (Kim et al. 2007)

Results (Thai) 2:

สำหรับการผลิตของเขต / ผล chemiresistive ทรานซิสเตอร์
(FET) ไบโอเซนเซอร์ชนิด, กราฟีนจะถูกโอนเป็นครั้งแรกในการตั้งต้น
เนื่องจากเรขาคณิตระนาบของมันตามมาด้วยการเลียนแบบของโลหะ
รายชื่อโดยใช้การพิมพ์หินลำแสงอิเล็กตรอนหรือ photolithography (เขา
et al., 2012 ) ในทางตรงกันข้ามคาร์บอนนาโน FETs ตามที่มีการ
ประดิษฐ์โดยบรรเลงครั้งแรกมักจะเป็นขั้วไฟฟ้าโลหะ
สารตั้งต้นที่ใช้โดยการเชื่อมโยงช่องว่างของอิเล็กโทรดที่มีคาร์บอน
นาโนทิวบ์ (Kim et al., 2007) มะเดื่อ. 5 (A และ B) แสดงให้เห็นว่ามีการใช้ทั่วไป
เค้าโครงของไบโอเซนเซอร์ FET ชนิดกับวัสดุนาโนคาร์บอน
(graphene หรือ CNTs) เป็นช่องทางในการเชื่อมต่อแหล่งที่มา (S) และ
ท่อระบายน้ำ (D) ขั้วไฟฟ้า ปัจจุบันแรงดัน (I-V) ลักษณะ
ระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำสำหรับแรงดันไฟฟ้าประตูต่าง ๆ หรือการเปลี่ยนแปลง
ในปัจจุบันที่มีศักยภาพประตูคงที่สามารถวัดและมีความสัมพันธ์กับ
ความเข้มข้นวิเคราะห์ ซึ่งแตกต่างจากการชุมนุมโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์
สนามผลทรานซิสเตอร์ (MOSFETs) ที่ดำเนินการ
ช่องทางถูกฝังอยู่ในวัสดุที่เป็นกลุ่มที่ท่อนาโนหรือแกรฟีน
ที่ตั้งอยู่บนพื้นผิวของสารตั้งต้นในการสนับสนุนโดยตรง
รูป 2. แสดงวิวัฒนาการแผนผังของการเจริญเติบโตของแกรฟีนผ่าน CVD บนฟอยล์ Cu (ก) การหลอมทองแดงฟอยล์และการขยายตัวของเมล็ด Cu (ข) การสลายตัวของสารไฮโดรคาร์บอน
ที่เกิดขึ้นในนิวเคลียสของเมล็ด graphene, และ (ค) การเจริญเติบโตของแกรฟีนจาก เว็บไซต์นิวเคลียส (Mattevi et al. 2011).
รูป 3. การก่อสร้างของท่อนาโนคาร์บอนจากแผ่นกราฟีนเดียวโดยการรีด
แผ่นพร้อมตัดเวกเตอร์เวกเตอร์ซีห่อตามแนวเส้นประนำไปสู่
​​ท่อที่มีความคดเคี้ยวไปมาหรือเก้าอี้ (ไวล์เดอ et al., 1998).
รูป 4. การแสดงแผนผังของระบบสามอิเล็กโทร.
88 พี Ramnani et al, / Chemosphere 143 (2016) 85-98
สัมผัสกับสภาพแวดล้อม (หลิวและ Guo 2012;. Xu et al, 2014)
เมื่อบ่มและเฉพาะเจาะจงผูกพันของสารเคมี / สารชีวภาพ
การเปลี่ยนแปลงสื่อกระแสไฟฟ้าและการเปลี่ยนแปลงที่ใช้ในการวัดปริมาณ
ความเข้มข้นที่ต้องการวิเคราะห์ การกำหนดค่าทรานซิสเตอร์อื่น
ที่แสดงในรูป 5 (C และ D) กับขั้วไฟฟ้าสองขั้วและไม่มี
ประตูเรียก chemiresistor ยังสามารถนำมาใช้ ใน chemiresistor เป็น
โมเลกุลดูดซึมบนพื้นผิวที่จะใช้ในการปรับ
เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าแทนประตูอิเล็กโทรด (Kim et al., 2007)