I. to raise from the top to the8.bo

I. to raise from the top to the
8.

bottom

2. the electron may be tightly
10.

bound to atoms

3. conductivity poses a problem
12.

4. to improve the resistance

5. modest expenditure of energy l4

6. the dopants are diffused into

semiconductor crystals

7. to expose the wafer to an oxi-

dizing atmosphere

1. The process of introducing impurit

of pure silicon

2. Any substance added in the doping

Results (Russian) 1:

I. поднять сверху8.внизу2. Электрон может быть плотно10.привязан к атомов3. проводимости создает проблему12.4. для повышения сопротивления5. скромные расходы энергии l46 активаторов распространяются вполупроводниковые кристаллы7. подвергать пластин для oxi-dizing атмосфера1. процесс внедрения impuritиз чистого кремния2. любое вещество, добавил в допинг

Results (Russian) 2:

И. поднять сверху на
8. нижней 2. электрон может быть плотно 10. связаны с атомами 3. проводимость возникает проблема 12. 4. для повышения сопротивления 5. скромный расход энергии L4 6. легирующие распространяются в полупроводниковых кристаллах 7. выставить пластины к окисле- dizing атмосферу 1. Процесс внедрения impurit чистого кремния 2. Любое вещество, добавляемое в допинга

Results (Russian) 3:

i) повышения сверху




8. дно 2.электрон может быть жестко
10.



3 связывает атомы.проводимость создает проблему
12.

4.повышение сопротивления

5.скромные расходы энергии L4

6.в dopants распространяются в



7 полупроводниковые кристаллы.разоблачить вафли на oxi -



1 dizing атмосферы.процесс принятия impurit



2 чистого кремния.любые вещества, добавляемого в допинг.