InAs/GaSb-related superlattices wit

InAs/GaSb-related superlattices with their broken-gap lineup behave like semimetals at large lattice periods, but if the lattice period is shortened, increasing quantization e;ects cause a transition to a narrow-gap semiconductor, making such structures of interest for infrared detectors, often combined with the deliberate addition of strain.

Results (Vietnamese) 1:

Superlattices InAs/GaSb-liên quan với đội hình hỏng, khoảng cách của họ cư xử giống như semimetals tại lưới lớn thời gian, nhưng nếu giai đoạn lưới được rút ngắn, gia tăng sự lượng tử hóa e; điểm ects gây ra sự chuyển tiếp sang một chất bán dẫn khoảng cách hẹp, làm cho cấu trúc như vậy quan tâm nhất dò hồng ngoại, thường được kết hợp với việc bổ sung chủ ý của căng thẳng.

Results (Vietnamese) 2:

siêu mạng Inas / GaSb liên quan với đội hình bị phá vỡ khoảng cách của họ cư xử như semimetals ở giai đoạn lưới lớn, nhưng nếu thời gian mạng tinh thể được rút ngắn, tăng lượng tử điện tử; các dự gây ra một sự chuyển tiếp đến một chất bán dẫn hẹp khoảng cách, làm cho cấu trúc như vậy quan tâm đối với hồng ngoại dò, thường được kết hợp với việc bổ sung ý của sự căng thẳng.