Q1 ON + 4 2 ON -, 43 ON + Q1 OFF --

Q1 ON + 4 2 ON -, 43 ON + Q1 OFF ---t .... The
conditions under which this oscillation occurs are
given by
Resistors are utilized in large quantities in
operational amplifiers and level comparators and it is
proved that the resistors vary very little in resistance
when set sufficiently derated. The resistors
deteriorate after slight change in resistance when
used over a long period and are suddenly broken,
mainly due to mechanical failure. Figure 5 shows
va > ( R ~+ R~ + R ~ ) E / R(=~ v S)
E < Vb < (h + R5)E/R5 (= VH)
(10)
(1 1)
where Va is the input voltage to the terminal 1, Vb is
the input voltage to the terminal 2, and Vs and VH
are approximately equal to the threshold values for
the onset of oscillation at the terminals 1 and 2,
respectively. When the input terminals 1 and 2 are
connected for common use and the-input voltage is
denoted by the analog input x , the window
comparator oscillates between the threshold values
VH and Vs (in the window).
(RI + R2 + R3)E/R3 < x^

Results (Thai) 1:

ไตรมาสที่ 1 ที่ + 4 2 ON - 43 บน + Q1 ปิด --- ที .... ภายใต้เงื่อนไขที่ความผันผวนที่เกิดขึ้นนี้จะถูกกำหนดโดยตัวต้านทานที่ใช้ในปริมาณมากในเครื่องขยายเสียงการดำเนินงานและตัวเปรียบเทียบระดับและเป็นที่พิสูจน์ให้เห็นว่าตัวต้านทานแตกต่างกันน้อยมากในการต่อต้านเมื่อตั้งอยูอย่างพอเพียง ต้านทานลดลงหลังการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในการต้านทานเมื่อใช้ในระยะเวลานานและจะแตกทันใดนั้นส่วนใหญ่เกิดจากความล้มเหลวของเครื่องจักรกล รูปที่ 5 แสดงให้เห็นva> (R ~ + R ~ + R ~) E / R (= ~ วี S) E <Vb <(h + R5) E / R5 (= VH) (10) (1 1) ที่เวอร์จิเนียเป็น แรงดันไฟฟ้าอินพุตไปยังสถานีที่ 1, VB เป็นแรงดันไฟฟ้าไปยังสถานีที่2 และ Vs และ VH ประมาณเท่ากับค่าเกณฑ์สำหรับการโจมตีของการสั่นที่อาคาร 1 และ 2 ตามลำดับ เมื่อขั้วอินพุทที่ 1 และ 2 จะมีการเชื่อมต่อสำหรับการใช้งานทั่วไปและแรงดันไฟฟ้าอินพุตจะถูกแสดงโดยการป้อนข้อมูลแบบอะนาล็อกx หน้าต่างเปรียบเทียบoscillates ระหว่างเกณฑ์ค่าVH และ Vs (ในหน้าต่าง). (RI + R2 + R3) E / R3 <x ^ <(R4 + R5) E / R5 (12) ในรูปที่ 4 (ก) ในไตรมาสที่ 1 ของทรานซิสเตอร์เป็นปกติบนเมื่อที่มีศักยภาพป้อนข้อมูลที่เพิ่มขึ้นดังกล่าวข้างต้น(h + R) E / อาร์เอสและกำหนดขีดจำกัด บนของ หน้าต่าง (= VH). ทรานซิสเตอร์ 4 2 ให้เปรียบเทียบกับฟังก์ชั่นของการขยายสำหรับการสั่น นี้ทรานซิสเตอร์เป็นปกติที่อาจเกิดขึ้นเมื่อป้อนข้อมูลที่ต่ำกว่า(RI + R2 + R3) E / R3 และกำหนดขีดจำกัด ล่างของหน้าต่าง (= Vs) ตั้งแต่oscillator สามารถสั่นเฉพาะเมื่อมีการป้อนข้อมูลศักยภาพVa และความพึงพอใจ Vb EQS (10) และ (1 ลิตร) ตามลำดับขั้วอินพุทที่1 และ 2 มีฟังก์ชั่นที่และประตู. วงจรที่แสดงในรูปที่ 4 (ก) ไม่สามารถสั่นเมื่อใดQ1 ทรานซิสเตอร์การไตรมาส 3 ที่ประกอบด้วยวงจรล้มเหลวในการทำงาน Tsuchiya และ Mukaidono [ลิตรผม [21 ชี้แจงว่าการดำเนินการตรรกะโดยการสั่นคือไม่ปลอดภัย วงจรไม่สามารถสั่นทั้งเมื่อใด ๆ ของตัวต้านทาน RI เพื่อ R5 ที่ให้เกณฑ์ค่าเปรียบเทียบหน้าต่างหรืออื่นๆ ที่ต้านทานเสีย. รูป 3, การตั้งค่าพื้นฐาน0 ลักษณะการเสื่อมสภาพบังคับของ 1/2-W (100 Cl) ต้านทานฟิล์มคาร์บอนเมื่ออยู่ภายใต้ 9-W พลังงาน เมื่อตัวต้านทานมีการทดสอบที่สูงมากอุณหภูมิค่าความต้านทานที่มีเสถียรภาพและความต้านทานเสียหลังจากการเปลี่ยนแปลงความต้านทานของเกี่ยวกับ10% นี้เห็นด้วยกับผลการทดสอบของ Yanagisawa และ Shiomi [3] ถ้าหน้าต่างแสดงโดยสม. the (12) ทำพอมีขนาดเล็กกว่าระดับตรรกะช่วงของค่าตรรกะของการป้อนข้อมูลหลายมูลค่าที่จึงไม่ปลอดภัยเปรียบเทียบหน้าต่างสามารถตระหนัก. รูปที่ 6 แสดงให้เห็น-ความถี่ที่เกี่ยวข้องใส่ศักยภาพ x และวัดที่แตกต่างกันอุณหภูมิสิ่งแวดล้อมเมื่อR1 = = RLI R7 = 10 kn, R2 = 6.2 kn, R3 = 51 U, R5 = Rg = 20 kn และR8 = 1 kL2 ในรูปที่ 4 (ก) ช่วงสัญญาณซึ่งวงจรสามารถสั่นเป็นหน้าต่างของเปรียบเทียบหน้าต่าง การส่งออกการสั่นจะไม่ได้ผลิตเมื่อต้านทานและทรานซิสเตอร์ที่เขียนวงจรล้มเหลวในการดำเนินงาน. วงจรในการแสดงรูปที่ 4 (ข) เป็นน้ำตกที่เชื่อมต่อกับวงจรที่แสดงในรูปที่4 (ก) ผ่านสลับวงจรทรานซิสเตอร์ 44 สำหรับผกผันเฟสประกอบด้วยตอบรับเชิงบวกoscillator และเป็นหน้าต่างเปรียบเทียบสองอินพุทที่มีลักษณะคล้ายกับที่ของวงจรแสดงในรูปที่4 (ก) [ตัวต้านทานกับเกณฑ์ค่าที่ได้รับมอบหมายสัญลักษณ์เดียวกันดังแสดงในรูปที่4 (ก) .l วงจรนี้สามารถสั่นเมื่อทั้งสองขั้วอินพุทที่11 และ I2 ตอบสนองเงื่อนไขของสมการได้. (12) ขั้วอินพุทที่ 11 และ I2 ประกอบด้วย failsafe และประตู นั่นคือไม่ปลอดภัยหลายอินพุตเปรียบเทียบหน้าต่างสามารถสร้างขึ้นจากน้ำตก

Results (Thai) 2:

ไตรมาสที่ 1 ที่ + 4 2 ON - 43 บน + Q1 ปิด --- ที 5 แสดงให้เห็นva> (R ~ + R ~ + R ~) E / R (= ~ วี S) E <Vb <(h + R5) E / R5 (= VH) (10) (1 1) ที่เวอร์จิเนีย 1, VB เป็นแรงดันไฟฟ้าไปยังสถานีที่2 และ Vs และ1 และ 2 ตามลำดับเมื่อขั้วอินพุทที่ 1 และระหว่างเกณฑ์ค่าVH และ Vs (ในหน้าต่าง). (RI + R2 + R3) E / R3 <x ^ <(+ R4 R5) E / R5 (12) ในรูปที่ 4 (ก) ในไตรมาสที่ + R) E / อาร์เอสและกำหนดขีดจำกัด บนของหน้าต่าง (= VH). ทรานซิสเตอร์ 4 + R2 + R3) E / R3 และกำหนดขีดจำกัด ล่างของหน้าต่าง (= Vs) ตั้งแต่oscillator และความพึงพอใจ Vb EQS (10) และ (1 ลิตร) ตามลำดับขั้วอินพุทที่1 และ 4 (ก) ไม่สามารถสั่นเมื่อใดQ1 ทรานซิสเตอร์การไตรมาส และ Mukaidono [ลิตรผม ๆ ของตัวต้านทาน RI เพื่อ 01/02-W (100 CI)Yanagisawa และ Shiomi [3] ถ้าหน้าต่างแสดงโดยสม 6 = RLI R7 = 10 kn, R2 = 6.2 kn, R3 = 51 U, R5 = Rg = 20 kn และR8 = 1 kL2 ในรูปที่ 44 (ก) ผ่านสลับวงจรทรานซิสเตอร์ 44 (ก) และ I2 11 และ I2 ประกอบด้วย

Results (Thai) 3:

1 4 2 - 43 ใน Q1 ออก --- T . . . . . . .
เงื่อนไขภายใต้ความผันผวนที่เกิดขึ้นนี้จะได้รับจาก

ตัวที่ใช้ในปริมาณมากในการปฏิบัติงานและระดับ
แอมป์เปรียบเทียบและมัน
พิสูจน์ว่า ตัวต้านทานแตกต่างกันน้อยมากในการต้านทาน
เมื่อตั้งค่าเพียงพอ derated . ตัวต้านทาน
เสื่อมสภาพหลังจากการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในการต่อต้านเมื่อ
ใช้ระยะเวลานาน และก็แตก
เนื่องจากความล้มเหลวทางกล รูปที่ 5 แสดง
VA > ( R ~ R ~ R ~ ) e / R ( ~ 5 S )
e < < ( VB ) R5 ) e / r5 ( VH )
( 10 )
( 1 )
ที่ VA เป็นแรงดันที่ขั้ว 1 , VB เป็น
แรงดันที่ขั้ว 2 และ VS VH
และประมาณเท่ากับเกณฑ์ค่า
onset ของการแกว่งที่ ขั้ว 1 และ 2
ตามลำดับเมื่อใส่ขั้ว 1 และ 2
เชื่อมต่อสำหรับใช้ทั่วไปและแรงดันเป็น
แทน โดยใส่อะนาล็อก X , หน้าต่าง
เปรียบเทียบ oscillates ระหว่างค่าเกณฑ์และ
VH VS ( หน้าต่าง )
( ริ R2 R3 E / R3 x
) < < ( R4 R5 ) E / ( 12 ) R5
ในรูปที่ 4 ( ) , ทรานซิสเตอร์ Q1 เป็นปกติ
เมื่อป้อนข้อมูลที่มีศักยภาพเพิ่มขึ้นเหนือ ( H R ) E / R
และกำหนดขีด จำกัด บนของหน้าต่าง ( VH ) .
ทรานซิสเตอร์ 2 ให้เปรียบเทียบกับ
หน้าที่ของขยายสำหรับการแกว่ง ทรานซิสเตอร์นี้
โดยปกติเมื่อใส่ศักย์
อยู่ด้านล่าง ( ริ R2 R3 ) E / R3
และกำหนดขีดจำกัดของหน้าต่าง ( VS ) ตั้งแต่
Oscillator สามารถแกว่งไปมาเท่านั้น เมื่อป้อนศักย์
VA และ VB ตอบสนอง EQS . ( 10 ) และ ( 1 )
ข้อมูลตามลำดับ ขั้ว 1 และ 2 มีฟังก์ชันของ

และประตู วงจรที่แสดงในรูปที่ 4 ( ) ไม่สามารถแกว่งไปมา
เมื่อใดของทรานซิสเตอร์ไตรมาสที่ 1 ที่ประกอบด้วย
วงจรล้มเหลวที่จะผ่าตัด ซึจิยะ และ mukaidono
[ L I , [ 21 ชี้แจงว่าตรรกะการ oscillation คือ
ล้มเหลวปลอดภัย วงจรไม่แกว่งไปมาเหมือนกันเมื่อ
ของตัวต้านทานริเพื่อให้ธรณีประตู
R5เปรียบเทียบค่าของหน้าต่างหรืออื่น ๆ .

เสีย รูปที่ 3 พื้นฐานค่า
0
บังคับการคุณลักษณะของ 1 / 2-w
( 100 CL ) ตัวต้านทานฟิล์มคาร์บอน 9-w
เมื่ออยู่ภายใต้อำนาจ เมื่อแบบทดสอบที่อุณหภูมิสูง
มาก ค่าความต้านทานคงที่และ
ตัวต้านทานเสียหลังจากต้านทานการเปลี่ยนแปลงเกี่ยวกับ
10 %นี้สอดคล้องกับผลการทดสอบของยานางิซาว่า และ ชิโอมิ
[ 3 ] ถ้าหน้าต่างที่แสดงโดยอีคิว
( 12 ) ให้เพียงพอ มีขนาดเล็กกว่าระดับของตรรกะตรรกะ
ช่วงค่าของหลายมูลค่าเข้า
จึงล้มเหลวเปรียบเทียบหน้าต่างปลอดภัยสามารถ

จริง รูปที่ 6 แสดงการสั่นความถี่ที่เกี่ยวข้องกับ input และศักยภาพ
x
วัดที่แตกต่างกันอุณหภูมิสิ่งแวดล้อมเมื่อ R1 = = r7 สัมพัทธ์ = 10
= 6.2 KN KN , R2 , R3 R5 = u = 51 , RG = 20 KN และ R8
= 1 ในรูปที่ 4 ( ปทุมธานี ) ช่วงที่สัญญาณ
ซึ่งวงจรสามารถแกว่งไปมาเป็นหน้าต่างของ
เปรียบเทียบหน้าต่าง ความผันผวนผลผลิต
ไม่ผลิตเมื่อตัวต้านทานและทรานซิสเตอร์ชนิดที่
เขียนวงจรไม่ทำงาน .
วงจรแสดงรูปที่ 4 ( B ) น้ำตก
เชื่อมต่อกับวงจรที่แสดงในรูปที่ 4 ( a )
ผ่านวงจรสวิตชิ่งของทรานซิสเตอร์ 44
ผกผัน เฟส ประกอบด้วย Oscillator ติชม
บวกและเป็นสองใส่หน้าต่างเปรียบเทียบ
ที่มีลักษณะคล้ายกับบรรดาของวงจร
แสดงในรูปที่ 4 ( ) [ ตัวต้านทานกับธรณีประตู
ค่ากำหนดสัญลักษณ์ที่เหมือนกันดังแสดงในรูปที่ 4 (
)ผม วงจรนี้สามารถแกว่งไปมาเมื่อสอง
ใส่ขั้ว 11 และ I2 ตอบสนองเงื่อนไขของอีคิว
( 12 ) ข้อมูลช่อง 11 และ I2 ประกอบด้วยระบบป้องกัน
และประตู นั่นคือ ล้มเหลวปลอดภัยหลายเปรียบเทียบหน้าต่างใส่
สามารถสร้างขึ้นโดยคาสเคด