However, ICs with nanometer-scale d

However, ICs with nanometer-scale devices are not without their problems, principal among which is leakage current (see subthreshold leakage for a discussion of this), although innovations in high-κ dielectrics aim to solve these problems. Since these speed and power consumption gains are apparent to the end user, there is fierce competition among the manufacturers to use finer geometries. This process, and the expected progress over the next few years, is described by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

Results (Thai) 1:

อย่างไรก็ตาม ICs ด้วยอุปกรณ์ขนาด nanometer จะไม่ไม่ มีปัญหา ผู้ซึ่งเป็นกระแสรั่วไหล (ดูรั่ว subthreshold สำหรับการสนทนานี้), แม้ว่านวัตกรรมใน dielectrics κสูงมุ่งมั่นที่จะแก้ปัญหาเหล่านี้ เนื่องจากกำไรเหล่านี้ปริมาณความเร็วและพลังชัดเจนผู้ ไม่มีการแข่งขันที่รุนแรงระหว่างผู้ผลิตจะใช้รูปทรงเรขาคณิตที่ปลีกย่อย กระบวนการนี้ และความคืบหน้าคาดว่าไม่กี่ปีถัดไป มีอธิบาย โดยแผนเทคโนโลยีนานาชาติสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ (ITRS)

Results (Thai) 2:

อย่างไรก็ตามวงจรรวมกับอุปกรณ์นาโนเมตรขนาดไม่ได้โดยไม่มีปัญหาของพวกเขาหลักหมู่ที่เป็นกระแสรั่วไหล (ดูการรั่วไหล subthreshold สำหรับการอภิปรายนี้) แม้ว่านวัตกรรมใน DIELECTRICS สูงκจุดมุ่งหมายที่จะแก้ปัญหาเหล​​่านี้ ตั้งแต่ความเร็วและการใช้พลังงานเหล่านี้กำไรจะปรากฏให้ผู้ใช้ที่มีการแข่งขันที่รุนแรงระหว่างผู้ผลิตที่จะใช้รูปทรงเรขาคณิตปลีกย่อย กระบวนการนี​​้และความคืบหน้าคาดว่าในอีกไม่กี่ปีข้างหน้าอธิบายโดยเทคโนโลยี Roadmap ระหว่างประเทศเพื่อการ Semiconductors (ITRS)

Results (Thai) 3:

อย่างไรก็ตาม ไอซีกับอุปกรณ์ระดับนาโนไม่ได้ปราศจากปัญหา ซึ่งเป็นหลักของการรั่วไหลในปัจจุบัน ( ดู subthreshold รั่วสำหรับการสนทนานี้ ถึงแม้ว่านวัตกรรมสูง - κชนิดมุ่งมั่นที่จะแก้ปัญหาเหล่านี้ เนื่องจากความเร็วและพลังงานเหล่านี้ได้รับแจ้งให้ผู้ใช้ มีการแข่งขันที่รุนแรงในหมู่ผู้ผลิตใช้โครงสร้างปลีกย่อยกระบวนการนี้ และคาดว่าจะก้าวหน้ากว่าไม่กี่ปีถัดไป , อธิบายตามแผนงานเทคโนโลยีนานาชาติสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ ( itrs )