The planar geometry of graphene mak

The planar geometry of graphene makes it easier to deposit on
the flat substrate. CVD-grown, large-area graphene films are
deposited using a polymer (PMMA) support film and the polymer
film is eventually dissolved in acetone. For anchoring carbon nanotubes,
different methods have been discussed in literature including
direct growth on substrate using chemical vapor deposition
(CVD) growth (Byon and Choi, 2006), drop casting (DC) (Zheng
et al., 2003), and dielectrophoresis (DEP) (Tlili et al., 2010).
Dielectrophoretic alignment methods prevent the bundling of
CNTs and aligns individual CNTs across the source–drain electrodes.
A modified drop casting method has been demonstrated
where the Si/SiO2 wafer is treated with APTES (3-aminopropyltriethoxysilane)
which leads to a monolayer of aminosilane, a chemical
known for its affinity to CNTs. Incubation with dilute SWNT
solution leads to a uniformly distributed high-density network of
SWNTs (Sarkar et al., 2013). The process can be used for wafer level
fabrication of CNT sensors. The techniques of DC, DEP and APTESassisted
self-assembly have been used for making rGO-based
chemiresistor/FET devices

Results (Thai) 1:

เรขาคณิตระนาบของ graphene ง่ายต่อการเก็บในพื้นผิวเรียบ ภาพยนตร์ graphene ปลูก CVD พื้นที่ขนาดใหญ่ที่มีฝากใช้พอลิเมอร์ (PMMA) สนับสนุนฟิล์มและลิเมอร์ในที่สุดก็มีละลายฟิล์มในอะซิโตน สำหรับทอดสมอ nanotubes คาร์บอนวิธีต่าง ๆ มีการกล่าวถึงในวรรณคดีรวมทั้งเจริญเติบโตโดยตรงบนพื้นผิวที่ใช้สะสมไอสารเคมีเจริญเติบโต (CVD) (Byon และชอย 2006), ปล่อยหล่อ (DC) (เจิ้งet al. 2003), และ dielectrophoresis (DEP) (Tlili et al. 2010)วิธีการจัดตำแหน่ง Dielectrophoretic ป้องกันการรวบรวมของCNTs และสอดคล้องกับ CNTs ละข้ามขั้วแหล่งท่อระบายน้ำมีการสาธิตวิธีแก้ไขหล่นหล่อซึ่งรักษาเว ซี/SiO2 ด้วย APTES (3-aminopropyltriethoxysilane)ซึ่งนำไปสู่ monolayer ของ aminosilane เป็นสารเคมีเป็นที่รู้จักสำหรับความสัมพันธ์ของมันกับ CNTs กกไข่ด้วย dilute SWNTแก้ปัญหาไปสู่เครือข่ายแน่นกระจายอย่างสม่ำเสมอSWNTs (ฮอลล์ et al. 2013) สามารถใช้กระบวนการสำหรับระดับเวเฟอร์การประดิษฐ์ของ CNT เทคนิคของ DC, DEP และ APTESassistedประกอบด้วยตัวเองมีการใช้การใช้ rGOอุปกรณ์ chemiresistor/FET

Results (Thai) 2:

เรขาคณิตระนาบของแกรฟีนทำให้ง่ายต่อการฝากบน
พื้นผิวแบน CVD ปลูกขนาดใหญ่พื้นที่ฟิล์มกราฟีนจะ
ฝากโดยใช้พอลิเมอ (PMMA) ภาพยนตร์การสนับสนุนและพอลิเมอ
ภาพยนตร์เรื่องนี้ในที่สุดก็จะละลายในอะซีโตน สำหรับยึดท่อนาโนคาร์บอน,
วิธีการที่แตกต่างกันได้รับการกล่าวถึงในวรรณคดีรวมทั้ง
การเจริญเติบโตโดยตรงบนพื้นผิวโดยใช้ไอสารเคมีการสะสม
(CVD) การเจริญเติบโต (BYON และ Choi, 2006) วางหล่อ (DC) (เจิ้งเหอ
et al., 2003) และ dielectrophoresis ( DEP) (Tlili et al., 2010).
วิธีการจัดตำแหน่ง dielectrophoretic ป้องกัน bundling ของ
CNTs และสอดคล้อง CNTs บุคคลข้ามขั้วไฟฟ้าแหล่งท่อระบายน้ำ.
วิธีการลดลงของการหล่อการปรับเปลี่ยนได้แสดงให้เห็น
ที่ศรี / SiO2 เวเฟอร์รับการรักษาด้วย APTES (3 -aminopropyltriethoxysilane)
ซึ่งนำไปสู่ ​​monolayer ของ aminosilane เป็นสารเคมี
ที่รู้จักสำหรับความสัมพันธ์ในการ CNTs บ่มเพาะกับเจือจาง SWNT
วิธีการแก้ปัญหานำไปสู่การกระจายเครือข่ายมีความหนาแน่นสูงของ
SWNTs (ซาร์การ์ et al., 2013) กระบวนการที่สามารถนำมาใช้สำหรับระดับเวเฟอร์
ประดิษฐ์ของเซ็นเซอร์ CNT เทคนิคการ DC, DEP และ APTESassisted
ตนเองประกอบได้ถูกนำมาใช้สำหรับการทำ RGO ตาม
chemiresistor / อุปกรณ์ FET