In this study, PZT/xBNT (x ¼ 0, 0.1

In this study, PZT/xBNT (x ¼ 0, 0.1, 0.5, 1.0 and 3.0 wt%.) ceramics
were successfully fabricated by a solid-state mixed-oxide method.
The optimum sintering temperature for this ceramic system was
found to be 1200 C at which all samples had relative densities at
least 96% of their theoretical values. X-ray diffraction analysis of the
ceramics indicated that the addition of BNT into PZT ceramics
caused a slight change in lattice parameters and phases. BNT was
also found to inhibit the grain growth which directly resulted in
a reduction of grain size for all sintering temperatures. The dielectric
constant at room temperature was found to be substantially
improved with an addition>0.1 wt% BNT. The addition BNT into PZT
ceramic also affected their ferroelectric and piezoelectric properties.
The maximum piezoelectric coefficient values were observed
in pure PZT ceramic and were slightly decreased in BNT-added
samples. From this view point, it could be seen that the suitable
content of added BNT could optimize dielectric, ferroelectric and
piezoelectric properties of PZT ceramic.

Results (Thai) 1:

ในการศึกษานี้ PZT/xBNT (x ¼ 0, 0.1, 0.5, 1.0 และ 3.0 wt %ขึ้น) เครื่องเคลือบเสร็จเรียบร้อยได้หลังสร้าง ด้วยวิธีผสมออกไซด์โซลิดสเตตอุณหภูมิ sintering เหมาะสมสำหรับระบบนี้เซรามิกพบเป็น 1200 C ที่ตัวอย่างทั้งหมดมีความหนาแน่นสัมพัทธ์ที่อย่างน้อย 96% ของค่าทฤษฎี วิเคราะห์เอกซเรย์การเลี้ยวเบนแสดงเซรามิกส์ที่เพิ่มของ BNT ในเซรามิกส์ PZTเกิดการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในโครงตาข่ายประกอบพารามิเตอร์และระยะ BNT ถูกนอกจากนี้ยัง พบว่ายับยั้งการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวซึ่งมีผลโดยตรงในลดขนาดเมล็ด sintering อุณหภูมิทั้งหมด การ dielectricค่าคงที่ที่อุณหภูมิห้องพบได้มากปรับปรุง ด้วยการเพิ่ม > 0.1 wt % BNT นอกจากนี้ BNT ใน PZTเซรามิกยังผลต่อคุณสมบัติของ ferroelectric และ piezoelectricค่าสัมประสิทธิ์สูงสุด piezoelectric สุภัคในเซรามิก PZT ที่บริสุทธิ์ และได้ลดลงเล็กน้อยใน BNT เพิ่มตัวอย่างการ จากจุดชมวิว มันสามารถดูได้ที่ที่เหมาะสมเนื้อหาของ BNT เพิ่มอาจปรับ dielectric, ferroelectric และคุณสมบัติ piezoelectric ของเซรามิก PZT

Results (Thai) 2:

ในการศึกษานี้ PZT / xBNT (x ¼ 0, 0.1, 0.5, 1.0 และ 3.0% โดยน้ำหนัก.) เซรามิก
ที่ถูกประดิษฐ์ประสบความสำเร็จโดยรัฐที่มั่นคงวิธีการผสมออกไซด์.
อุณหภูมิที่เหมาะสมสำหรับการเผาเซรามิกระบบนี้ถูก
พบว่าเป็น 1200 องศาเซลเซียสที่กลุ่มตัวอย่างทั้งหมดมีความหนาแน่นสัมพัทธ์ที่
อย่างน้อย 96% ของค่าทางทฤษฎีของพวกเขา การวิเคราะห์การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ของ
เซรามิกส์ชี้ให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้นของ BNT ลงในเซรามิก PZT
ที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในพารามิเตอร์ตาข่ายและขั้นตอน BNT ก็
ยังพบว่ามีการยับยั้งการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวที่ส่งผลโดยตรงใน
การลดลงของขนาดเม็ดสำหรับอุณหภูมิการเผาทั้งหมด อิเล็กทริก
คงที่ที่อุณหภูมิห้องพบว่ามีนัยสำคัญ
ที่ดีขึ้นด้วยการเพิ่ม> 0.1% โดยน้ำหนัก BNT นอกจาก BNT เข้า PZT
เซรามิกยังได้รับผลกระทบและคุณสมบัติ ferroelectric piezoelectric ของพวกเขา.
ค่าสัมประสิทธิ์ piezoelectric สูงสุดถูกตั้งข้อสังเกต
ในเซรามิก PZT บริสุทธิ์และลดลงเล็กน้อยใน BNT เพิ่ม
ตัวอย่าง จากจุดชมวิวนี้ก็อาจจะเห็นว่าเหมาะสม
กับเนื้อหาของ BNT เพิ่มสามารถเพิ่มประสิทธิภาพการอิเล็กทริก ferroelectric และ
คุณสมบัติ piezoelectric เซรามิก PZT

Results (Thai) 3:

ในการศึกษานี้วิธี xbnt ( X ¼ 0 , 0.1 , 0.5 , 1.0 และ 3.0 โดยน้ำหนัก ) เครื่องเคลือบ
ถูกประดิษฐ์โดยวิธีการสร้างเรียบร้อยแล้ว
ออกไซด์ผสม อุณหภูมิที่เหมาะสมสำหรับระบบเซรามิกนี้
พบเป็น 1200  C ที่กลุ่มตัวอย่างทั้งหมดมีความหนาแน่นสัมพัทธ์ที่
อย่างน้อย 96% คุณค่าเชิงทฤษฎีของพวกเขา การวิเคราะห์โดยการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ของ
เซรามิกส์ พบว่านอกจาก BNT เป็นเซรามิกส์ที่เตรียม
เกิดจากการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในแลตทิซพารามิเตอร์และขั้นตอน เป็นต้นคือ
ยังพบยับยั้งการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวโดยตรง (
ลดขนาดเม็ดสำหรับเผาที่อุณหภูมิ สมบัติไดอิเล็กทริก
คงที่ที่อุณหภูมิห้องพบว่าเป็นอย่างมาก
ดีขึ้นด้วยนอกจากนี้ > 0.1 เปอร์เซ็นต์ เป็นต้น . นอกจากนี้ในเซรามิก PZT เป็นต้น
ยังได้รับผลกระทบของพวกเขาและคุณสมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริก piezoelectric .

ค่าสัมประสิทธิ์ piezoelectric สูงสุดพบใน PZT เซรามิคบริสุทธิ์และลดลงเล็กน้อยใน BNT เพิ่ม
ตัวอย่าง จากมุมมองของผม มันอาจจะเห็นได้ว่า เนื้อหาที่เหมาะสมของ BNT อาจปรับเพิ่ม

คุณสมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริก dielectric และเตรียมเพียโซอิเล็กทริกเซรามิก