e 8. to remove the coating9. to pro

e 8. to remove the coating

9. to protect from harmful effects

y 10. advances in technology

l l. the deposition of thin films

m 12. to provide precise dimensions

13. to select the areas on a wafer

y 14. to involve the use of a glow dis

charge

15. to specify the pattern of each

layer

impurity into the crystalline structure

Results (Russian) 1:

e 8. чтобы удалить покрытие9. для защиты от вредных последствийy 10. достижения в области технологииl л осаждения тонких пленокm 12. предоставлять точные размеры13. для выбора областей на вафельныеy 14. связаны с использованием свечения дисзаряд15. чтобы указать шаблон каждогослойпримеси в кристаллической структуры

Results (Russian) 2:

е 8. удалять покрытие 9. для защиты от вредного воздействия у 10. Достижения в области технологии л л. осаждение тонких пленок м 12. обеспечить точные размеры 13. выбрать участки на вафельной у 14. привлекать использование свечения дис взимать 15. указать образец каждого слоя примеси в кристаллическую структуру

Results (Russian) 3:

E - 8.для устранения покрытия

9.для защиты от вредных последствий,

y 10.прогресс в технологии

L L. осаждения тонких пленок

м 12.представить точные размеры

13.выбора областей на пластины

y 14.связана с применением свечение соп



15 обвинений.уточнить характер каждого



примеси слой в кристаллической структуры.