where IDVS1,2.on is the current sou

where I
DVS1,2.on
is the current sourced out of the DVS1,2 pins (50 µA typ.) and V
DVS1,2_TH
is the lower clamp voltage of the DVS1,2 pins (-0.2 V typ.).
This may enable the ON threshold to be set according to the SR power MOSFET
body diode VF
chosen for the application or the external diode connected in
parallel to the power MOSFET drain-source (e.g. Schottky rectifier).
The current sourcing out of the DVS1,2 pin is enabled after the drain-source
voltage experiences a voltage below the pre-triggering level V
DVS1,2_PT (negative going edge) and is disabled once the rectifier is switched on. A de-bouncing delay (TPD_ON) is introduced after the current generator is activated in order to avoid
false triggering of the gate driver.
In some applications, RD1,2 is also needed to limit the current that can be injected
into the DVS pins when the corresponding SR power MOSFET is off. In fact, when
one power MOSFET is off (and the other is conducting) its drain-to-source voltage
is slightly higher than twice the output voltage; if this exceeds the voltage rating of
the internal clamp (VccZ = 36 V typ.), RD1,2 has to limit the injected current below
the maximum rating (25 mA). In addition, the SRK2000 clamping circuit dissipation
must be taken into account to avoid device overheating. In this case, Equation 1 is
used to check that the resulting VTH.ON is compatible with the forward drop of the
SR power MOSFET body diode (or the parallel external diode).

Results (Chinese Traditional) 1:

在那裡我DVS1、 2.on當前采自 DVS1，2 針腳 （50 µ A 典型值） 和 VDVS1 2_TH是較低的鉗位電壓的 DVS1，2 針腳 (-0.2 V 典型值)。這可能會使對閾值時根據 SR 功率 MOSFET 設置體二極體 VF選擇應用程式或連接在外部二極體平行于功率 MOSFET 漏源 （例如肖特基整流器）。DVS1，2 針的當前採購出啟用後漏源電壓經歷以下預觸發水準 V 的電壓DVS1，2_PT （負去邊緣），一旦整流器開關禁用。為了避免啟動電流發生器後引入消除彈跳延遲 (TPD_ON)柵極驅動的誤觸發。在一些應用中，RD1，2 也需要以限制可以注入的電流成時對應的 SR 功率 MOSFET 是關閉 DVS 的針。事實上，當一功率 MOSFET 是關閉 （和其他正在進行） 其漏源極電壓略高於輸出電壓的兩倍;如果這超出的額定電壓內部鉗位 (VccZ = 36 V 典型值)，RD1，2 有限制電流注入下面最大額定值 (25 馬)。此外，SRK2000 箝位電路耗散必須考慮到採取，以避免設備過熱。在這種情況下，方程 1 是用於檢查，由此產生的 VTH。ON 是相容的壓降SR 功率 MOSFET 的體二極體 （或外部二極體並聯）。

Results (Chinese Traditional) 2:

在這裡我
DVS1,2.on
是源出DVS1,2引腳的電流（50μA典型值）和V
DVS1,2_TH
是DVS1,2引腳（-0.2 V典型值）的低箝位電壓。
這可能使開啟閾值，以根據對SR功率MOSFET被設置
體二極管的VF
選擇用於連接在應用程序或外部二極管
並聯到功率MOSFET的漏源（如肖特基整流器）。
該電流源出DVS1,2銷的漏-源之後被啟用
電壓經歷低於預先觸發電平V的電壓
DVS1,2_PT（負沿），並且一旦整流器被接通處於關閉狀態。電流發生器，以避免活化之後被去彈跳延遲（TPD_ON）被引入
所述柵極驅動器的錯誤觸發。
在一些應用中，RD1,2也需要限制可注入的電流
進入的DVS銷時相應的SR功率MOSFET關斷。事實上，當
一個電源MOSFET關斷（以及其他被導通）的漏極-源極電壓
大於兩倍的輸出電壓稍高; 如果這個超過的額定電壓
的內部夾（VccZ = 36 V典型值），RD1,2具有限制下面的注入電流
的最大額定值（25 mA）的。此外，SRK2000箝位電路耗散
，必須加以考慮，以避免設備過熱。在這種情況下，等式1被
用來檢查所得到的VTH.ON與的正向壓降兼容
的SR功率MOSFET的體二極管（或平行外部二極管）。