By reversing the biasing conditions

By reversing the biasing conditions of the forward-active region, a bipolar transistor goes into reverse-active mode. In this mode, the emitter and collector regions switch roles. Because most BJTs are designed to maximize current gain in forward-active mode, the βF in inverted mode is several times smaller (2–3 times for the ordinary germanium transistor). This transistor mode is seldom used, usually being considered only for failsafe conditions and some types of bipolar logic. The reverse bias breakdown voltage to the base may be an order of magnitude lower in this region.

Results (Vietnamese) 1:

Bằng cách đảo ngược các điều kiện biasing của khu vực hoạt động về phía trước, một bóng bán dẫn lưỡng cực đi vào chế độ hoạt động ngược lại. Trong chế độ này, vùng emitter và thu chuyển đổi vai trò. Bởi vì hầu hết BJTs được thiết kế để tối đa hóa lợi hiện tại trong chế độ hoạt động về phía trước, βF trong chế độ ngược nhỏ nhiều lần (2-3 lần cho transistor gecmani bình thường). Chế độ bóng bán dẫn này hiếm khi được sử dụng, thường được coi là chỉ cho điều kiện failsafe và một số loại logic lưỡng cực. Điện áp ngược thiên vị cố để các cơ sở có thể là một thứ tự cường độ thấp trong khu vực này.

Results (Vietnamese) 2:

Bằng cách đảo ngược xu hướng điều kiện của khu vực phía trước chủ động, một bóng bán dẫn lưỡng cực chuyển sang chế độ đảo ngược hoạt động. Trong chế độ này, các vùng phát và thu đổi vai. Bởi vì hầu hết BJTs được thiết kế để tối đa hóa lợi dòng trong chế độ về phía trước hoạt động, βF trong chế độ ngược là nhiều lần nhỏ hơn (2-3 lần cho các bóng bán dẫn germanium bình thường). chế độ transistor này hiếm khi được sử dụng, thường được coi là chỉ dành cho điều kiện chạy failsafe và một số loại của logic lưỡng cực. Điều ngược lại sự cố điện áp phân cực cho các cơ sở có thể là một thứ tự cường độ thấp hơn trong khu vực này.

Results (Vietnamese) 3:

Bằng cách đảo ngược với trước khu vực điều kiện thiên vị, rối loạn lưỡng cực transistor ngược vào chế độ.Trong chế độ này, bắn cực và cực góp là khu vực chuyển vai.Bởi vì hầu hết các bóng bán dẫn được thiết kế tối đa chế độ hoạt động dưới đất lên dòng điện tăng, trên đảo có hình dạng β F vài lần nhỏ (2 - 3 lần bình thường, gecmani transistor).Tình trạng này là hiếm khi sử dụng, thường chỉ xem xét điều kiện hoạt động an toàn và một số rối loạn lưỡng cực tính logic.Sự cố điện áp ngược thiên vị cơ bản có thể là một số lượng cấp thấp, ở khu vực này.