SiC devices such as MOSFETs offer t

SiC devices such as MOSFETs offer the benefit of efficient power conversion in
areas that current Si-based power semiconductors do not [9]. The inverter presented
in this paper is designed by using SiC MOSFET for switching component and
Schottky Barrier Diode (SBD) is connected in parallel with each SiC MOSFET to
reduce the switching loss and specifically the reverse recovery loss [10]. SBD offers
a number of advantages such as low turn on voltage, fast recovery time, and low
junction capacitance. The inverter topology is shown in Fig. 1.

Results (Vietnamese) 1:

SiC thiết bị như MOSFETs cung cấp các lợi ích của việc chuyển đổi hiệu quả năng lượng tronglĩnh vực chất bán dẫn Si dựa trên quyền lực hiện tại không [9]. Biến tần trình bàytrong bài báo này được thiết kế bằng cách sử dụng SiC MOSFET cho chuyển đổi thành phần vàSchottky Barrier Diode (SBD) được kết nối song song với mỗi MOSFET SiC đểgiảm cân tự động bật và đặc biệt đảo ngược phục hồi mất [10]. SBD cung cấpmột số lợi thế như thấp biến điện áp, thời gian phục hồi nhanh chóng và thấpđiện dung giao lộ. Tô pô biến tần được thể hiện trong hình 1.

Results (Vietnamese) 2:

SiC thiết bị như MOSFETs cung cấp các lợi ích của việc chuyển đổi năng lượng hiệu quả trong
các lĩnh vực chất bán dẫn điện Si dựa trên hiện tại không [9]. Biến tần được trình bày
trong bài báo này được thiết kế bằng cách sử dụng SiC MOSFET để chuyển đổi thành phần và
Schottky Barrier Diode (SBD) được nối song song với nhau SiC MOSFET để
giảm tổn thất chuyển mạch và đặc biệt là sự mất mát phục hồi ngược lại [10]. SBD cung cấp
một số lợi thế như lần lượt thấp về điện áp, thời gian phục hồi nhanh chóng, và thấp
nối điện dung. Topo biến tần được hiển thị trong hình. 1.