The three semiconductors InAs, GaSb

The three semiconductors InAs, GaSb, and AlSb form an approximately lattice-matched set around 6:1 A, covering a wide range of energy gaps and other properties. Of particular interest are heterostructures combining InAs with one or both of the antimonides, and they are emphasized in this review. In addition to their use in conventional device types (FETs, RTDs, etc.), several heterostructure con5gurations with unique properties have been explored, especially InAs/AlSb quantum wells and InAs/GaSb superlattices

Results (Vietnamese) 1:

Chất bán dẫn ba, InAs, GaSb và AlSb tạo thành một lưới khoảng phù hợp với thiết lập xung quanh 6:1 a, bao gồm một loạt các khoảng trống năng lượng và tài sản khác. Quan tâm đặc biệt heterostructures kết hợp InAs với một hoặc cả hai của các antimonua, và họ được nhấn mạnh trong này xem xét. Ngoài việc sử dụng của họ trong các loại thiết bị thông thường (FETs, RTDs, vv), một số heterostructure con5gurations với tính chất độc đáo đã được khám phá, đặc biệt là giếng lượng tử InAs/AlSb và InAs/GaSb superlattices

Results (Vietnamese) 2:

Ba chất bán dẫn Inas, GaSb, và AlSb tạo thành một khoảng lưới kết hợp thiết lập khoảng 6: 1 A, bao gồm một rộng phạm vi của khe năng lượng và các tài sản khác?. Quan tâm đặc biệt là kết hợp heterostructures Inas với một hoặc cả hai antimonides, và họ được nhấn mạnh trong bài đánh giá này. Ngoài việc sử dụng chúng trong các loại thông thường thiết bị (FET, RTD, vv), một số con5gurations dị thể với tính chất độc đáo đã được khám phá, đặc biệt là các giếng lượng tử Inas / AlSb và siêu mạng Inas / GaSb