With increasing TG, the decrease of

With increasing TG, the decrease of the In incorporation during the initial growth stage can expand the critical layer thickness of the intermixing layer as shown in Figs. 3(a) and 3(b). This contributed to the variation of the intermixing layer thickness at the interface, along with the enhancement of the growth rate, the surface energy, and the surface migration of ad-atoms with increasing TG as seen in Fig. 3(c). Therefore, it is suggested that these variations could be the reason for the reduction of the degree of the relaxation of the epilayer with increasing TG beyond 550 C

Results (Vietnamese) 1:

Với sự gia tăng TG, giảm thành lập In trong giai đoạn phát triển ban đầu có thể mở rộng độ dày lớp quan trọng của trộn lớp như thể hiện trong Figs. 3(a) và 3(b). Điều này góp phần vào sự biến đổi độ dày lớp trộn giao diện, cùng với việc tăng cường tốc độ tăng trưởng, năng lượng bề mặt, và di chuyển trên bề mặt của các quảng cáo-nguyên tử với tăng TG như trong hình 3(c). Vì vậy, nó là gợi ý rằng những biến thể này có thể là lý do cho việc giảm mức độ của sự thư giãn của epilayer với sự gia tăng TG ngoài 550 C

Results (Vietnamese) 2:

Với sự gia tăng TG, giảm của Năm thành lập công ty trong giai đoạn tăng trưởng ban đầu có thể mở rộng độ dày lớp quan trọng của lớp xen chút như thể hiện trong hình. 3 (a) và 3 (b). Điều này góp phần vào sự thay đổi của độ dày lớp xen vào giao diện, cùng với việc tăng cường tốc độ tăng trưởng, năng lượng bề mặt, và sự di cư của bề mặt quảng cáo của nguyên tử với sự gia tăng TG như trong hình. 3 (c). Do đó, nó được đề nghị rằng những biến thể này có thể là lý do cho việc giảm mức độ thư giãn của epilayer với tăng TG vượt 550? C