CZTSe thin films were prepared on M

CZTSe thin films were prepared on Mo coated, ITO coated, and FTOcoated soda lime glass substrates. Two stage process with selenizationafter sputtering (SAS) has been used for CZTSe thin film growth in thisstudy, and is illustrated as below. First, precursor layers for CZTSe thinfilms are deposited on the Mo, FTO and ITO substrate using radio frequency(RF) sputtering in Ar atmosphere at 5 mTorr under room temperature.Both ZnxSn1-x target material (99.99% purity, Summit-TechResource Corp.) and CuxSe target material (99.99% purity, SolarApplied Materials Technology Corp.) are used separately in this method(Lai et al., 2017). The RF power for ZnxSn1-x target material and CuxSetarget material respectively are 100 W and 200 W. The target-to-substratedistance was kept at 13.5 cm, and the targets of 3 in. in diameterwere used in this study. The RF power densities for ZnxSn1-x and CuxSetargets are 2.19 W/cm2 and 4.39 W/cm2 at room temperature. Subsequently,the thickness of individual layers was 0.5 μm, and 0.25 μm.Then, the precursor thin films were placed in a quartz holder and weresent into a furnace purged with Ar along with 700 mg of solid Selenium.Selenization process was taken along a programmed set of annealingtemperature ramps with the highest temperature of 550 °C dwelling for30 min in non-toxic selenium atmosphere. The CZTSe thin films areformed in the selenizaiton process, and are naturally cooled to roomtemperature afterward. The formation of the kesterite CTSe phase in theCuxSe/ZnxSn1−x bilayer precursor occurred at the first stage. As weincreased the selenization temperature, ZnxSn1−x and CuxSe decomposedsequentially because of their different melting points. Meanwhile,the existence of a CTSe interlayer plays an important role in theCZTSe grain growth. Each CZTSe thin film was prepared along with anas-deposited CZTSe thin film for the case of Mo, FTO and ITO substrate.While one CZTSe thin film was reserved for thin film analysis, the otherCZTSe thin film was fabricated into CZTSe solar cell for each case. Forthe fabrication of CZTSe solar cells, a CdS layer with thickness of 50 nmas n-type buffer layer was deposited on the p-type CZTSe thin filmthrough chemical bath deposition (CBD) at 85 °C, and was followed byan intrinsic ZnO (i-ZnO) layer with thickness of 50 nm, and an Al-dopedZnO (Al:ZnO, AZO) layer with thickness of 300 nm, that were sequentiallydeposited onto CdS by sputtering at room temperature. TheCZTSe solar cells were finished at the deposition of Ni and Al, respectivelywith thickness of 50 nm and 1 μm, as the front electrode. XRDanalysis was conducted by a SIEMENS D500 X-ray diffractometer with aCuKa (1.5418 Å) radiation. The diffracted beam was scanning with astep of 0.005°, an angular θ–2θ range from 10° to 80°, and with integrationtime of 1 s. SEM, PL (using excitation laser with 635 nmwavelength), SIMS, and EDS were conducted to the as-deposited CZTSethin films on Mo, FTO and ITO substrates to obtain their structural andcompositional analysis and their optical and electrical characteristics,while current–voltage (I-V) measurements and external quantum efficiency(EQE) measurements were used for analysis on the device performanceof the CZTSe solar cells on different substrates. The compositionsof the as-synthesized CZTSe films are listed in Table 1, and thesesamples reveal a copper- poor and zinc-rich composition ratios with Cu/

0/5000

From: -

To: -

Results (Thai) 1: [Copy]

Copied!

ฟิล์มบาง CZTSe ถูกจัดทำขึ้นโดย Mo เคลือบ ITO เคลือบและ FTO โซดาเคลือบพื้นผิวแก้วมะนาว สองกระบวนการเวทีกับ selenization หลังจากที่สปัตเตอร์ (SAS) ได้ถูกนำมาใช้สำหรับการเจริญเติบโตฟิล์มบาง CZTSe ในเรื่องนี้ การศึกษาและเป็นตัวอย่างดังต่อไปนี้ ครั้งแรกที่ชั้นสารตั้งต้นสำหรับบาง CZTSe ภาพยนตร์จะฝากใน Mo, FTO และ ITO สารตั้งต้นที่ใช้คลื่นความถี่วิทยุ (RF) ในชั้นบรรยากาศสปัตเตอร์เท่ที่ 5 mTorr ภายใต้อุณหภูมิห้อง ทั้งวัสดุเป้าหมาย ZnxSn1-X (99.99% ความบริสุทธิ์ประชุมสุดยอด-Tech ทรัพยากรคอร์ป) และวัสดุเป้าหมาย CuxSe (99.99% ความบริสุทธิ์แสงอาทิตย์ ประยุกต์วัสดุเทคโนโลยีคอร์ป) จะใช้แยกกันในวิธีการนี้ (Lai et al., 2017) พลังงาน RF สำหรับวัสดุเป้าหมาย ZnxSn1-X และ CuxSe วัสดุเป้าหมายตามลำดับ 100 วัตต์และ 200 W. เป้าหมายไปตั้งต้น ระยะถูกเก็บไว้ที่ 13.5 ซม. และเป้าหมายของ 3 ใน. ในเส้นผ่าศูนย์กลาง ถูกนำมาใช้ในการศึกษานี้ ความหนาแน่นพลังงาน RF สำหรับ ZnxSn1-X และ CuxSe เป้าหมายเป็น 2.19 W / cm2 และ 4.39 W / cm2 ที่อุณหภูมิห้อง ต่อจากนั้น ความหนาของแต่ละชั้นเป็น 0.5 ไมครอนและ 0.25 ไมครอน จากนั้นฟิล์มบางสารตั้งต้นถูกวางไว้ในฐานะผู้ถือควอทซ์และถูก ส่งเข้าไปในเตาเผาชำระด้วย Ar พร้อมกับ 700 mg ของซีลีเนียมที่เป็นของแข็ง กระบวนการ Selenization ถูกนำตัวพร้อมชุดโปรแกรมของอบอ่อน ลาดอุณหภูมิที่มีอุณหภูมิสูงสุด 550 องศาเซลเซียสที่อยู่อาศัยสำหรับ 30 นาทีในชั้นบรรยากาศซีลีเนียมปลอดสารพิษ ภาพยนตร์บาง CZTSe มี ที่เกิดขึ้นในกระบวนการ selenizaiton และมีการระบายความร้อนตามธรรมชาติไปที่ห้อง อุณหภูมิหลังจากนั้น การก่อตัวของเฟส CTSe kesterite ใน CuxSe / ZnxSn1-x bilayer ปูชนียบุคคลที่เกิดขึ้นในขั้นตอนแรก ในฐานะที่เรา เพิ่มขึ้นอุณหภูมิ selenization ที่ ZnxSn1-X และ CuxSe ย่อยสลาย ตามลำดับเนื่องจากการจุดหลอมละลายที่แตกต่างกันของพวกเขา ในขณะเดียวกัน การดำรงอยู่ของ interlayer CTSe มีบทบาทสำคัญในการ เจริญเติบโตของข้าว CZTSe แต่ละ CZTSe ฟิล์มบางถูกจัดทำขึ้นพร้อมกับ CZTSe ฟิล์มบาง ๆ ตามที่ฝากสำหรับกรณีของ Mo, FTO และสารตั้งต้น ITO ขณะที่หนึ่ง CZTSe ฟิล์มบางถูกสงวนไว้สำหรับการวิเคราะห์ฟิล์มบาง, อื่น ๆ ฟิล์มบาง CZTSe ประดิษฐ์เข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ CZTSe สำหรับแต่ละกรณี สำหรับ การผลิตของ CZTSe เซลล์แสงอาทิตย์ชั้นซีดีที่มีความหนา 50 นาโนเมตร เป็นชั้นชนิดเอ็นบัฟเฟอร์ถูกวางบน P-ประเภท CZTSe ฟิล์มบาง ๆ ผ่านทางเคมีอาบน้ำทับถม (CBD) ที่ 85 องศาเซลเซียสและตามมาด้วย ZnO ที่แท้จริง (i-ZnO) ชั้นที่มีความหนา 50 นาโนเมตรและ Al-เจือ ซิงค์ออกไซด์ (อัลซิงค์ออกไซด์, AZO) ชั้นที่มีความหนา 300 นาโนเมตรที่ถูกตามลำดับ ฝากลงบนซีดีโดยสปัตเตอร์ที่อุณหภูมิห้อง CZTSe เซลล์แสงอาทิตย์เสร็จที่ทับถมของ Ni และอัลตามลำดับ ที่มีความหนา 50 นาโนเมตรและ 1 ไมโครเมตรเป็นขั้วไฟฟ้าด้านหน้า XRD วิเคราะห์ได้ดำเนินการโดยมาตรการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ SIEMENS D500 ด้วย (1.5418 A) รังสี CuKa ลำแสง diffracted ถูกสแกนด้วย ขั้นตอนของ 0.005 °การเชิงมุมช่วงθ-2θจาก 10 °ถึง 80 °และมีการรวม เวลา 1 วินาที SEM, PL (โดยใช้เลเซอร์กระตุ้นด้วย 635 นาโนเมตร คลื่น), ซิมส์และ EDS ได้ดำเนินการไปตามที่ฝาก CZTSe ฟิล์มบางบน Mo, FTO และ ITO พื้นผิวเพื่อให้ได้โครงสร้างของพวกเขาและ การวิเคราะห์องค์ประกอบและลักษณะแสงและไฟฟ้าของพวกเขา ในขณะที่ปัจจุบัน -voltage (IV) การวัดและมีประสิทธิภาพควอนตัมภายนอก (EQE) วัดถูกนำมาใช้สำหรับการวิเคราะห์ผลการดำเนินงานอุปกรณ์ ของเซลล์แสงอาทิตย์ CZTSe กับพื้นผิวที่แตกต่างกัน องค์ประกอบ ของภาพยนตร์ CZTSe เป็นสังเคราะห์มีการระบุไว้ในตารางที่ 1 และเหล่านี้ ตัวอย่างเปิดเผยทองแดงอัตราส่วนองค์ประกอบยากจนและอุดมด้วยธาตุสังกะสีที่มีลูกบาศ์ก /

Being translated, please wait..

Results (Thai) 2:[Copy]

Copied!

ฟิล์มบางได้รับการจัดทำขึ้นบนโมโตเคลือบ, อิโตะ, และ FTO พื้นผิวแก้วมะนาวเคลือบโซดา กระบวนการสองขั้นตอนที่มีการสุ่ม หลังจากสปัตเตอร์ (SAS) ถูกนำมาใช้สำหรับ CZTSe การเติบโตของฟิล์มบาง การศึกษาดังต่อไปนี้ ชั้นแรกของสารตั้งต้นสำหรับ CZTSe บาง ภาพยนตร์จะถูกฝากไว้บนพื้นผิว Mo, FTO และ ITO โดยใช้ความถี่วิทยุ (RF) สปัตเตอร์ในบรรยากาศของ Ar ที่ 5 mTorr ภายใต้อุณหภูมิห้อง ทั้งวัสดุเป้าหมาย ZnxSn1 (๙๙.๙๙% ความบริสุทธิ์, Summit-Tech ทรัพยากรคอร์ป) และ CuxSe วัสดุเป้าหมาย (ความบริสุทธิ์๙๙.๙๙%, พลังงานแสงอาทิตย์ เทคโนโลยีการประยุกต์ใช้วัสดุ จะใช้แยกต่างหากในวิธีการนี้ (Lai et al., ๒๐๑๗) พลังงาน RF สำหรับวัสดุ ZnxSn1 และ CuxSe วัสดุเป้าหมายตามลำดับคือ๑๐๐ W และ๒๐๐ W เป้าหมายไปยังพื้นผิว ระยะทางถูกเก็บไว้ที่๑๓.๕ซม. และเป้าหมายของ3ในเส้นผ่าศูนย์กลาง ถูกนำมาใช้ในการศึกษานี้ ความหนาแน่นของพลังงาน RF สำหรับ ZnxSn1 และ CuxSe เป้าหมายคือ๒.๑๙ W/cm2 และ๔.๓๙ W/cm2 ที่อุณหภูมิห้อง ต่อมา ความหนาของแต่ละชั้นคือ๐.๕μ m และ๐.๒๕μ m จากนั้นจะมีการวางฟิล์มบางๆในตัวยึดควอตซ์และ ส่งเข้าไปในเตาที่ถูกกำจัดด้วย Ar พร้อมกับ๗๐๐มิลลิกรัมของที่แข็งซีลีเนียม. กระบวนการ selenization ถูกนำไปตามชุดที่ตั้งโปรแกรมของการอบ ทางลาดอุณหภูมิที่มีอุณหภูมิสูงสุด๕๕๐° c ที่อยู่อาศัยสำหรับ ในบรรยากาศของซีลีเนียมที่ไม่เป็นพิษ30นาที ฟิล์มบาง ที่เกิดขึ้นในกระบวนการ selenizaiton และมีการระบายความร้อนตามธรรมชาติที่ห้อง อุณหภูมิหลังจากนั้น การก่อตัวของขั้นตอนการ kesterite CTSe ใน สารตั้งต้น CuxSe/ZnxSn1 − x ที่เกิดขึ้นในขั้นตอนแรก ขณะที่เรา เพิ่มอุณหภูมิในการ selenization, ZnxSn1 − x และ CuxSe ที่ย่อยสลาย ตามลำดับเนื่องจากจุดหลอมเหลวที่แตกต่างกัน ขณะเดียวกัน มีบทบาทสำคัญในการดำรงอยู่ขององค์กร CTSe การเจริญเติบโตของเมล็ดข้าว. ฟิล์มบางของ CZTSe จัดทำขึ้นพร้อมกับ ในฐานะที่เป็นฝากของ CZTSe ฟิล์มบางสำหรับกรณีของการเป็นพื้นผิว Mo, FTO และ ITO ในขณะที่หนึ่งฟิล์มบางๆ CZTSe ถูกสงวนไว้สำหรับการวิเคราะห์ฟิล์มบาง, อื่นๆ ฟิล์มบางถูกประดิษฐ์เข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ของ CZTSe สำหรับแต่ละกรณี. สำหรับ การผลิตของเซลล์แสงอาทิตย์ของ CZTSe, ซีดีชั้นที่มีความหนาของ๕๐ nm เป็นชั้นบัฟเฟอร์ชนิด n ถูกฝากไว้บนฟิล์มบางชนิด CZTSe ผ่านการสะสมของห้องอาบน้ำสารเคมี (CBD) ที่๘๕° c และตามด้วย ชั้น (i-ZnO) ที่มีความหนาของ๕๐ nm และอัลเจือ ในชั้นที่มีความหนาของ๓๐๐ nm, ที่ถูกตามลำดับ ฝากลงซีดีโดยสปัตเตอร์ที่อุณหภูมิห้อง การ เซลล์แสงอาทิตย์ของ CZTSe เสร็จสิ้นที่การสะสมของ Ni และ Al ตามลำดับ ความหนาของ๕๐ nm และ1μ m เป็นอิเล็กโทรดด้านหน้า XRD ทำการวิเคราะห์โดยใช้เครื่องกระจายแสงเอ็กซเรย์ของ SIEMENS การฉายรังสี CuKa (๑.๕๔๑๘Å) ลำคลื่นกระจายแสงถูกสแกนด้วย ขั้นตอนของ๐.๐๐๕°, ในมุมθ–2θช่วงจาก10°ถึง๘๐°และมีการรวม เวลา1วินาที SEM, PL (ใช้เลเซอร์กระตุ้นด้วย๖๓๕ nm ความยาวคลื่น), ซิมส์, และ EDS ถูกดำเนินการในฐานะที่ฝากของ CZTSe ฟิล์มบางๆบนพื้นผิว Mo, FTO และ ITO ที่จะได้รับโครงสร้างของพวกเขาและ การวิเคราะห์ที่ไม่มีการระบุตัวตนและลักษณะทางแสงและไฟฟ้าของพวกเขา ขณะที่การวัดแรงดันไฟฟ้า (I-V) และประสิทธิภาพของควอนตัมภายนอก (EQE) การวัดที่ใช้ในการวิเคราะห์ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ ของเซลล์แสงอาทิตย์ CZTSe บนพื้นผิวที่แตกต่างกัน องค์ประกอบ ของภาพยนตร์ CZTSe ที่มีการระบุไว้ในตารางที่1และ ตัวอย่างแสดงให้เห็นถึงอัตราส่วนการจัดองค์ประกอบภาพทองแดงที่ยากจนและสังกะสีด้วย Cu/

Being translated, please wait..

Results (Thai) 3:[Copy]

Copied!

การเตรียมการของ CZTSE ฟิล์มเคลือบโมเคลือบ ITO และ FTO โซเดียมเคลือบปูนขาวแก้วพื้นผิว กระบวนการสองขั้นตอนของซีลีเนียม การเจริญเติบโตของฟิล์มบาง CZTSE โดยวิธีสปัตเตอริง ผลการวิจัยพบว่า ชั้นสารตั้งต้นของฟิล์มบาง CZTSE ฝากฟิล์มบนพื้นผิวของโม FTO และ ITO ด้วยคลื่นวิทยุ สปัตเตอริงในบรรยากาศ 5mtor อาร์กอนที่อุณหภูมิห้อง สองชนิดของวัสดุเป้าหมาย znxsn1-x ความบริสุทธิ์ของ 99.99 เปอร์เซ็นต์ซัมเมอร์มิทเทคโนโลยี ความบริสุทธิ์ของวัสดุเป้าหมายและพลังงานแสงอาทิตย์ บริษัทเทคโนโลยีวัสดุประยุกต์ หลี่และอื่นๆ 2017 ปี พลังงาน RF ของ znxsn1-x วัสดุเป้าหมายและ CuxSe วัสดุเป้าหมายคือ 100W และ 200W ตามลำดับ ระยะทางจะถูกเก็บไว้ที่ 13.5 เซนติเมตรเป้าหมายคือ 3-ตารางนิ้ว เส้นผ่าศูนย์กลาง ใช้ในการวิจัย ความหนาแน่นพลังงาน RF ของ znxsn1-x และ CuxSe ที่อุณหภูมิห้อง 2.19w เป้าหมายคือ 2.19w 1262 และ 4.39w 、ซม. หลังจากนั้น ความหนาชั้นเดียวคือ 0.5 μ M และ 0.25 μ M ตามลำดับ แล้ววางฟิล์มดังกล่าวข้างต้นในควอทซ์ผู้ถือ พร้อมกับ 700 มิลลิกรัมของแข็งซีลีเนียมป้อนเข้าไปในเตาหลอมอาร์กอนบริสุทธิ์ กระบวนการซีลีเนียมจะดำเนินการตามขั้นตอนการอบอ่อนกระบวนการ ความชันของอุณหภูมิสูงสุด ในสภาพแวดล้อมที่ปลอดสารพิษซีลีเนียม 30 นาที ฟิล์มบาง ซีลีเนียมที่เกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการทำความเย็นตามธรรมชาติที่อุณหภูมิห้อง หลังจากอุณหภูมิ การก่อตัวของระยะ ctse กรัมกลาง CuxSe และ znxsn1-x คู่ตั้งต้นปรากฏในขั้นตอนแรก เหมือนเรา การเพิ่มอุณหภูมิของซีลีเนียมและการสลายตัวของ znxsn1 x CuxSe เพราะพวกเขามีจุดหลอมเหลวที่แตกต่างกัน แล้วก็ การปรากฏตัวของ ctse แซนวิชใน ธัญพืชเช็กเติบโต ทุกฟิล์ม CZTSE มีความสัมพันธ์กับ ฟิล์มยืดกับโม FTO และ ITO เป็นฐาน เมื่อฟิล์มบาง CZTSE ถูกเก็บไว้สำหรับการวิเคราะห์ฟิล์มบางๆ ในแต่ละกรณีฟิล์ม CZTSE จะถูกสร้างขึ้นเป็น CZTSE เซลล์แสงอาทิตย์ เพื่อ การเตรียมเซลล์แสงอาทิตย์สำหรับ 50nm ซีดีหนาชั้น CZTSE ฝาก n-type บัฟเฟอร์บน p-type cztse ฟิล์ม การสะสมตัวของตะกอนด้วยนํ้าเคมีในบริเวณใจกลางเมือง ความหนาของชั้นสังกะสีออกไซด์และอลูมิเนียมผสม ชั้นของซิงค์ออกไซด์ที่มีความหนา 300nm อุณหภูมิห้องสปัตเตอริงฝากบนซีดี นี่ เซลล์แสงอาทิตย์ CZTSE เสร็จสมบูรณ์ในการสะสมของนิกเกิลและอลูมิเนียมตามลำดับ ความหนาของขั้วไฟฟ้าด้านหน้าเป็น 50nm และμ M การเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ การวิเคราะห์โดยซีเมนส์ d500 การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ รังสีของยา การเลี้ยวเบนของแสง ขั้นตอนสำหรับ 0.005 องศาและมุมทีตา เวลาในการสแกนด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ความยาวคลื่นซิมส์และ EDS ถูกนำตัวเข้าสู่การสะสมของ CZTSE การเตรียมฟิล์มบนพื้นผิวของโม FTO และ ITO เพื่อให้ได้โครงสร้างและคุณสมบัติ การวิเคราะห์องค์ประกอบและสมบัติทางแสง การวัดแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันและประสิทธิภาพควอนตัมภายนอก การวัดประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่ใช้ในการวิเคราะห์ เซลล์แสงอาทิตย์ CZTSE บนพื้นผิวที่แตกต่างกัน ส่วนประกอบ รายชื่อฟิล์ม CZTSE สังเคราะห์ในตาราง 1 ตัวอย่างพบว่าอัตราส่วนของทองแดงและสังกะสีที่อุดมไปด้วยและทองแดง

Being translated, please wait..

Other languages

The translation tool support: Afrikaans, Albanian, Amharic, Arabic, Armenian, Azerbaijani, Basque, Belarusian, Bengali, Bosnian, Bulgarian, Catalan, Cebuano, Chichewa, Chinese, Chinese Traditional, Corsican, Croatian, Czech, Danish, Detect language, Dutch, English, Esperanto, Estonian, Filipino, Finnish, French, Frisian, Galician, Georgian, German, Greek, Gujarati, Haitian Creole, Hausa, Hawaiian, Hebrew, Hindi, Hmong, Hungarian, Icelandic, Igbo, Indonesian, Irish, Italian, Japanese, Javanese, Kannada, Kazakh, Khmer, Kinyarwanda, Klingon, Korean, Kurdish (Kurmanji), Kyrgyz, Lao, Latin, Latvian, Lithuanian, Luxembourgish, Macedonian, Malagasy, Malay, Malayalam, Maltese, Maori, Marathi, Mongolian, Myanmar (Burmese), Nepali, Norwegian, Odia (Oriya), Pashto, Persian, Polish, Portuguese, Punjabi, Romanian, Russian, Samoan, Scots Gaelic, Serbian, Sesotho, Shona, Sindhi, Sinhala, Slovak, Slovenian, Somali, Spanish, Sundanese, Swahili, Swedish, Tajik, Tamil, Tatar, Telugu, Thai, Turkish, Turkmen, Ukrainian, Urdu, Uyghur, Uzbek, Vietnamese, Welsh, Xhosa, Yiddish, Yoruba, Zulu, Language translation.