Backside damage causes the growth o

Backside damage causes the growth of dislocations that radiate up into the wafer. These dislocations can act as a trap of mobile ionic contamination introduced into the wafer during the fab process.

where is the location

backsize process

Results (Vietnamese) 1:

Mặt sau thiệt hại gây ra sự tăng trưởng của dislocations mà tỏa ra thành wafer. Những lệch có thể hành động như là một cái bẫy của điện thoại di động ô nhiễm ion được giới thiệu vào wafer trong quá trình fab.vị trí ở đâuquá trình backsize

Results (Vietnamese) 2:

Mặt sau thiệt hại gây ra sự tăng trưởng của trật khớp tỏa lên wafer. Những lệch có thể hoạt động như một cái bẫy của ô nhiễm ion di động giới thiệu vào wafer trong quá trình fab.

Mà là vị trí

quá trình backsize