In MOCVD ultra pure gases are injec

In MOCVD ultra pure gases are injected into a reactor and finely dosed to deposit a very thin layer of atoms onto a semiconductor wafer. Surface reaction of organic compounds or metalorganics and hydrides containing the required chemical elements creates conditions for crystalline growth - epitaxy of materials and compound semiconductors. Unlike traditional silicon semiconductors, these semiconductors may contain combinations of Group III and Group V, Group II and Group VI, Group IV, or Group IV, V and VI elements.

Results (Vietnamese) 1:

Trong MOCVD siêu tinh khiết khí được tiêm vào một lò phản ứng và mịn dosed để gửi tiền một lớp rất mỏng của các nguyên tử vào wafer bán dẫn. Bề mặt phản ứng của các hợp chất hữu cơ hoặc metalorganics và hiđrua chứa các nguyên tố hóa học cần tạo điều kiện cho sự phát triển tinh thể - epitaxy của vật liệu và hợp chất bán dẫn. Không giống như truyền thống silic chất bán dẫn, các chất bán dẫn có thể chứa các kết hợp của các nguyên tố nhóm III và nhóm V, nhóm II và nhóm VI, nhóm IV hoặc nhóm IV, V và VI.

Results (Vietnamese) 2:

Trong MOCVD khí siêu tinh khiết được bơm vào lò phản ứng và tinh liều gửi một lớp rất mỏng của các nguyên tử trên một tấm bán dẫn. phản ứng bề mặt của các hợp chất hữu cơ hoặc metalorganics và hiđrua có chứa các nguyên tố hóa học cần thiết tạo điều kiện cho sự phát triển tinh thể - epitaxy của vật liệu và hợp chất bán dẫn. Không giống như các chất bán dẫn silicon truyền thống, các chất bán dẫn có thể chứa sự kết hợp của nhóm III và nhóm V, nhóm II và nhóm VI, Tập đoàn IV, hoặc nhóm IV, V và VI yếu tố.