However, the higher defect density

However, the higher defect density in the film due to the large lattice mismatch between Sb-containing epilayer and the starting substrate, GaAs (or Si), is deleterious to the performance of the devices. To mitigate these detrimental effects, several defects mitigating approaches, such as strained layer super-lattice6 and continuously graded metamorphic buffer layers7,8 have been proposed to suppress the propagation of the threading dislocations.

Results (Vietnamese) 1:

Tuy nhiên, mật độ khiếm khuyết cao trong phim do lớn lưới không phù hợp giữa Sb có chứa epilayer và bề mặt bắt đầu, GaAs (hoặc Si), là bại hoại phong tục hiệu suất của các thiết bị. Để giảm thiểu những hiệu ứng bất lợi, một số khiếm khuyết giảm nhẹ các phương pháp tiếp cận, chẳng hạn như siêu lớp căng-lattice6 và liên tục xếp loại đá biến chất đệm layers7, 8 đã được đề xuất để ngăn chặn việc truyền dislocations luồng.

Results (Vietnamese) 2:

Tuy nhiên, mật độ khuyết tật cao hơn trong các bộ phim do không phù hợp lưới lớn giữa Sb chứa epilayer và chất nền bắt đầu, GaAs (hoặc Si), là có hại đến hiệu suất của các thiết bị. Để giảm thiểu những tác động có hại, một số nhược điểm giảm nhẹ các cách tiếp cận, chẳng hạn như lớp căng thẳng siêu lattice6 và liên tục được xếp loại đệm biến chất layers7,8 đã được đề xuất để ngăn chặn sự lan truyền của các sai lệch luồng.