the high temperature annealing of 3

the high temperature annealing of 3DG under NH3 led to the partially etching the regions with low graphene layers and thus an increase in average number of stacked graphene layers.

Results (Thai) 1:

การอบเหนียวอุณหภูมิสูงของกิจ 3 ใต้ NH3 นำบางส่วนแกะสลักภูมิภาคกับชั้น graphene ที่ต่ำ และการเพิ่มจำนวนโดยเฉลี่ย graphene ซ้อนชั้น

Results (Thai) 2:

หลอมที่อุณหภูมิสูงของ 3DG ภายใต้ NH3 นำไปสู่​​ภูมิภาคบางส่วนที่มีการแกะสลัก graphene ชั้นต่ำและทำให้การเพิ่มขึ้นของค่าเฉลี่ยของจำนวน graphene ชั้นซ้อนกัน

Results (Thai) 3:

อุณหภูมิสูงในการหลอมของ 3dg nh3 นำไปสู่บางส่วนสำหรับภูมิภาคที่มีชั้น graphene ต่ำจึงเพิ่มจำนวนซ้อนกันกราฟีน ชั้น