The process was performed in the te

The process was performed in the temperature range 1000 - 1100°C and with varying deposition time (1-4 hour). The profile distribution of SiO2 in the silicanized layer was measured using XRF, EDS-SEM and the depth from the surface to the substrate was taken as the layer thickness.

Results (Malay) 1:

Proses ini telah dilaksanakan dalam julat suhu 1000-1100° C dan dengan masa yang berbeza-beza pemendapan (1-4 jam). Taburan profil SiO2 dalam lapisan silicanized telah diukur dengan menggunakan XRF, EDS-SEM dan kedalaman dari permukaan ke substrat tersebut diambil sebagai ketebalan lapisan.

Results (Malay) 2:

proses ini dilakukan dalam julat suhu 1000 Pengagihan profil SiO2 dalam lapisan silicanized diukur menggunakan XRF, EDS-SEM dan kedalaman dari permukaan substrat itu diambil kerana ketebalan lapisan.