IIL-V semiconductors attract the at

IIL-V semiconductors attract the attention ofscientists and man-

ufacturers working in the field ofmicroelectronics. This interest is based

upon the ability of these materials to satisfy a wide variety of needs.

Technological applications include high speed processing, com-

munications, sensing and imagining, and many others. Integrated

circuits with various combinations of MESFET, JFET, bipolar, Gunn,

Schottky diode, laser diode, optical detector, light guide, acoustic

wave, and other assorted functions are being explored, developed and

utilized.

One of the first large-scale applications of III-V semiconduc-

tors was light-emitting diodes (LEDs) which are two terminal devic-

es that emit light when a forward-bias current is passed through a p-

njunction. An state and device construction is given in Fig. 3.

When an electron in the conduction band combines with a hole

in the valence band, the energy is emitted as a photon and light is

produced. Of course, non-radiative combination processes and light

re-absorption must be minimized for high efficiency. To emit light

visible to the human eye, a band gap near 2 e V is necessary to pro-
vide the proper photon energy, which produces red-green light.

Results (Russian) 1:

IIL-V полупроводников привлекают внимание ofscientists и человек-ufacturers, работающие в поле ofmicroelectronics. Этот интерес основанна способности этих материалов для удовлетворения разнообразных потребностей.Технологические приложения включают в себя высокую скорость обработки, com-ческим, зондирования и воображая и многие другие. Интегрированныйсхемы с различными комбинациями ПТШ, JFET, биполярный, Ганн,Диод Шоттки, лазерный диод, оптический детектор, свет руководство, акустическаяволна и другие разные функции в настоящее время изучаются, разработаны ииспользованы.Одним из первых крупномасштабных приложений III-V semiconduc-ТЗ был светоизлучающие диоды (СИД) которые являются два терминала Девич-ES, которые излучают свет, когда вперед предвзятость ток проходит через p-njunction. Строительство государства и устройства приводится на рис. 3.Когда электрон в полосе кондукции сочетает в себе с отверстиемв полосе значности энергия генерируется как Фотон и светпроизводства. Конечно же, не радиационное сочетание процессов и светповторное поглощение должны быть сведены к минимуму для высокой эффективности. Излучать светвидимый человеческим глазом, Группа зазор около 2 e V необходимо про -Смотри надлежащего Фотонная энергия, которая производит красно зеленый свет.

Results (Russian) 2:

IIL-V полупроводники привлечь внимание ofscientists и человеко ufacturers работающих в области ofmicroelectronics. Этот интерес основан на способности этих материалов, чтобы удовлетворить широкий спектр потребностей. Технологические применения включают высокую скорость обработки, ком- никации, зондирование и представляя, и многие другие. Интегрированные схемы с различными комбинациями ПТШ, JFET, биполярные, Ганна, диод Шоттки, лазерный диод, оптическим детектором, световода, акустической волны, и других различных функций изучаются, разрабатываются и используются. Один из первых масштабных приложений III-V полупро- торы был светоизлучающие диоды (СИД), которые два концевых devic- ES, которые излучают свет при пропускании тока вперед смещения пропускают через р- njunction. Состояние и устройство конструкция приведена на рис. 3. Когда электрон в зоне проводимости в сочетании с отверстием в валентной зоне, энергия излучается в виде фотона и света производится. Конечно, не радиационные комбинированные процессы и свет реабсорбции должны быть сведены к минимуму за большой эффективностью. Чтобы излучать свет , видимый человеческим глазом, разрыв полоса около 2 E V необходимо обеспе- Смотри соответствующую энергии фотона, который производит красно-зеленый свет.

Results (Russian) 3:

iil-v полупроводников, привлекают внимание ofscientists и человек -ufacturers, работающих в области ofmicroelectronics.интерес к этому на основена способности этих материалов для удовлетворения разнообразных потребностей.технологии включают высокоскоростной обработки, COM -munications, дистанционное зондирование и воображение, и многие другие.комплексноецепи с различными комбинациями mesfet, jfet, биполярное расстройство, ганн,диод шоттки, лазерный диод, оптических детекторов, осветителя, акустическиеволна, и другие соответствующие функции, изучаются, развитых ииспользовать.одним из первых крупных приложения V semiconduc -круг ведения был светодиодов (сд), которые являются два терминала, девич.эс, что излучают свет при прохождении тока через предвзятость вперед р -njunction.все государства и устройства конструкции приведен на рис. 3.когда электрон в зона проводимости сочетает с дыройв валентная зона, энергия излучается как фотон и светподготовлены.конечно, не радиационного комбинированные процессы и легкихвновь покрытия должны быть сведены к минимуму за высокую эффективность.для излучают светвидимым для человеческого глаза, ионизация около 2 E V необходимо про -см. надлежащего фотонной энергии, которая производит красно - зеленый свет.