it is a chemical vapour deposition

it is a chemical vapour deposition method used to produce single or polycrystalline thin films. It is a highly complex process for growing crystalline layers to create complex semiconductor multilayer structures. In contrast to molecular beam epitaxy (MBE) the growth of crystals is by chemical reaction and not physical deposition. This takes place not in a vacuum, but from the gas phase at moderate pressures (10 to 760 Torr). As such, this technique is preferred for the formation of devices incorporating thermodynamically metastable alloys, and it has become a major process in the manufacture of optoelectronics.

Results (Vietnamese) 1:

nó là một phương pháp lắng đọng hơi hóa chất được sử dụng để sản xuất duy nhất hoặc polycrystalline mỏng phim. Nó là một quá trình rất phức tạp cho việc phát triển lớp tinh thể để tạo ra cấu trúc đa lớp bán dẫn phức tạp. Ngược lại với phân tử beam epitaxy (MBE) tốc độ tăng trưởng của các tinh thể là do phản ứng hóa học và vật lý không lắng đọng. Điều này diễn ra không trong chân không, nhưng từ giai đoạn khí ở áp suất trung bình (10 đến 760 Torr). Như vậy, kỹ thuật này được ưa thích cho sự hình thành của các thiết bị kết hợp đồng phân thermodynamically hợp kim, và nó đã trở thành một quá trình chính trong sản xuất optoelectronics.

Results (Vietnamese) 2:

nó là một phương pháp lắng đọng hơi hóa chất dùng để sản xuất màng mỏng đơn hoặc đa tinh thể. Nó là một quá trình rất phức tạp để trồng các lớp tinh thể để tạo ra cấu trúc đa lớp bán dẫn phức tạp. Ngược lại với epitaxy chùm phân tử (MBE) sự phát triển của tinh thể là do phản ứng hóa học và lắng đọng không thể chất. Điều này diễn ra không phải trong chân không, nhưng từ pha khí ở áp suất vừa phải (10-760 Torr). Như vậy, kỹ thuật này được ưa thích cho sự hình thành của các thiết bị kết hợp hợp kim nhiệt động siêu bền, và nó đã trở thành một quá trình quan trọng trong sản xuất quang điện tử.