III-V Semiconductor Integrated Circ

III-V Semiconductor Integrated Circuits

Ill-V semiconductors attract the attention of scientists and man-

ufacturers working in the field of microelectronics. This interestis based

upon the ability of these materials to satisfy a wide variety of needs.

applications include high speed processing, com-

munications, sensing and many others. Integrated
combinations of JFET, bipolar,
Schottky diode, laser diode, optical detector, light guide, acoustic

wave, and other
assorted functions are being explored, developed and

utilized.

One of the first large-scale applications of III-V semiconduc-

tors was light-emitting diodes (LEDs) which are two terminal devic-

es that emit light when a current is passed through a p-
junction. An energy state and device construction is given in Fig. 3.

When an electron in the conduction band combines with a hole

in the valence band, the energy is emitted as a photon and light is

produced. Of course, non-radiative combination processes and light

re-absorption must be minimized for high efficiency. To emit light
visible to the human eye, a band gap near 2 e v is necessary to pro-

vide the proper photon energy, which produces red-green light.

Results (Russian) 1:

III-V полупроводниковых интегральных схемIll-V полупроводников привлекают внимание ученых и человек-ufacturers, работающие в области микроэлектроники. Это interestis на основена способности этих материалов для удовлетворения разнообразных потребностей.приложения включают в себя высокую скорость обработки, com-ческим, зондирования и многие другие. Интегрированныйкомбинации JFET, биполярный, Диод Шоттки, лазерный диод, оптический детектор, свет руководство, акустическаяволна и другиев настоящее время изучаются разные функции, разработаны ииспользованы.Одним из первых крупномасштабных приложений III-V semiconduc-ТЗ был светоизлучающие диоды (СИД) которые являются два терминала Девич-ES, которые излучают свет, когда ток проходит через p-Перекресток. Строительство государства и устройства энергии приводится на рис. 3.Когда электрон в полосе кондукции сочетает в себе с отверстиемв полосе значности энергия генерируется как Фотон и светпроизводства. Конечно же, не радиационное сочетание процессов и светповторное поглощение должны быть сведены к минимуму для высокой эффективности. Излучать светвидимый человеческим глазом, запрещенной зоны вблизи 2 e v необходимо про-Смотри надлежащего Фотонная энергия, которая производит красно зеленый свет.

Results (Russian) 2:

III-V полупроводниковых интегральных микросхем Ill-V полупроводники привлечь внимание ученых и человеко ufacturers работающих в области микроэлектроники. Это interestis основе от способности этих материалов, чтобы удовлетворить широкий спектр потребностей. Приложения включают в себя высокую скорость обработки, ком- никации, зондирование и многие другие. Интегрированные комбинации JFET, биполярные, диод Шоттки, лазерный диод, оптическим детектором, световода, акустической волны, и других сборных функций изучаются, разрабатываются и используются. Один из первых масштабных приложений III-V полупро- ров был светоизлучающие диоды (СИД), которые два концевых devic- ES, которые излучают свет, когда ток проходит через п- перехода. Энергетическое состояние и устройство конструкция приведена на рис. 3. Когда электрон в зоне проводимости в сочетании с отверстием в валентной зоне, энергия излучается в виде фотона и света производится. Конечно, не радиационные комбинированные процессы и свет реабсорбции должны быть сведены к минимуму за большой эффективностью. Чтобы излучать свет , видимый человеческим глазом, разрыв полоса около 2 эв необходимо обеспе- Смотри соответствующую энергии фотона, который производит красно-зеленый свет.