Before we introduce our replica cel

Before we introduce our replica cell biasing scheme, the cell bias to keep the cell data is discussed. Fig. 4 shows an SRAM cell schematic in the sleep mode. In the sleep mode, the word line level is set to the ground and the both of the nMOS transfers turn off. Namely, an SRAM cell operates just as a flip-flop. As long as one of the pMOS loads and one of the nMOS drivers are on, the data is stable in the SRAM cell. Therefore, it is necessary for the cell bias to be larger than both the threshold voltages of the pMOS load and the nMOS driver. Consequently, the minimum level of the cell bias for keeping data in the sleep modecan be expressed by the higher threshold voltage between the pMOS load and the nMOS driver. In other words, the cellbias can be minimized by means of control using threshold voltage of the cell transistors. Of course, some plus alpha margin should be added to the cell bias to compensate fluctuations of the threshold voltages of the cell transistors. Though, a concept of determining the cell bias by using the threshold voltage of the cell transistors is very reasonable to minimize the cell leakage.

Results (Vietnamese) 1:

Trước khi chúng tôi giới thiệu chúng tôi bản sao di động đề án biasing, xu hướng di động để giữ cho dữ liệu di động được thảo luận. Hình 4 cho thấy một tế bào SRAM sơ ở chế độ ngủ. Ở chế độ ngủ, cấp độ dòng word được thiết lập để mặt đất và cả hai chuyển nMOS tắt. Cụ thể, một tế bào SRAM hoạt động cũng giống như flip flop. Miễn là một tải pMOS và một trong các trình điều khiển nMOS đang ở trên, các dữ liệu là ổn định trong các tế bào SRAM. Vì vậy, nó là cần thiết cho xu hướng di động phải lớn hơn so với cả hai điện áp ngưỡng của tải pMOS và nMOS driver. Do đó, mức tối thiểu của xu hướng di động để giữ cho dữ liệu trong modecan ngủ được thể hiện qua điện áp ngưỡng cao giữa tải pMOS và nMOS driver. Nói cách khác, các cellbias có thể được giảm thiểu bằng cách kiểm soát bằng cách sử dụng ngưỡng điện áp của transistor di động. Tất nhiên, margin alpha cộng với một số nên được thêm vào xu hướng di động để bù đắp fluctuations của điện áp ngưỡng của transistor di động. Tuy nhiên, một khái niệm về xác định xu hướng di động bằng cách sử dụng điện áp ngưỡng của transistor di động là rất hợp lý để giảm thiểu sự rò rỉ điện.

Results (Vietnamese) 2:

Trước khi chúng tôi giới thiệu chương trình tế bào sao xu hướng của chúng tôi, sự thiên vị tế bào để giữ các dữ liệu di động được thảo luận. Sung. 4 cho thấy một sơ đồ tế bào SRAM ở chế độ ngủ. Trong chế độ ngủ, mức dòng chữ được đặt xuống đất và các tác phẩm chuyển giao nMOS cả tắt. Cụ thể, một tế bào SRAM hoạt động giống như một fl IP fl op. Miễn là một trong những tải pMOS và là một trong các trình điều khiển nMOS đang ở trên, các dữ liệu được ổn định trong tế bào SRAM. Vì vậy, nó là cần thiết cho sự thiên vị tế bào để được lớn hơn cả các điện áp ngưỡng của tải pMOS và người lái xe nMOS. Do đó, mức tối thiểu sự thiên vị di động để giữ cho dữ liệu trong giấc ngủ modecan được thể hiện bởi các ngưỡng điện áp cao giữa tải pMOS và người lái xe nMOS. Nói cách khác, các cellbias có thể được giảm thiểu bằng cách điều khiển bằng điện áp ngưỡng của các bóng bán dẫn di động. Tất nhiên, một số lợi nhuận alpha cộng nên được thêm vào sự thiên vị tế bào để bù uctuations fl của điện áp ngưỡng của các bóng bán dẫn di động. Mặc dù, một khái niệm về việc xác định xu hướng di động bằng cách sử dụng điện áp ngưỡng của các bóng bán dẫn tế bào là rất hợp lý để giảm thiểu sự rò tế bào.