The variation of the IMF array formation at the InxGa1-xSb/GaAs interface plays a role for the growth of the highly lattice mismatched epitaxial structures
Các biến thể của sự hình thành mảng IMF tại giao diện InxGa1-xsb / GaAs đóng một vai trò cho sự phát triển của rất lattice cấu trúc epitaxy không hạnh phúc