For these reasons, electron beam di

For these reasons, electron beam direct-write lithography is prov

ing invaluable in the field of application of specific or semicustom

integrated circuits This technique allows fast turnaround, a high

flexibility and comparatively low cost for very small batches. In ad

dition, the short wavelength of electron-beam offers very high res

olution patterning and so may be essential where sub-micron fea

tures are required. Despite the possibility of low throughout, e-beam

generated patterns allow either simple wafer-scale integration or

devices for several customers each possibly with a variety of trial

designs to be implemented on a single wafer. The major advantage

of the e-beam's high resolution capability will be nullified if the

resist pattern cannot be very precisely reproduced onto the metalli-

zation layer. For this reason, wet-etching of the metal with its in

herent undercutting is particularly unsuitable and plasma-process-

ing becomes necessary. Reactive ion etching is a type of plasma

etching where the wafer is placed on an electrode which is capaci

tively coupled to an RF generator. A second electrode larger than

this driven one is grounded and a plasma is generated by electronic

excitation of a low pressure gas contained between them. The ar

rangement of the system is such that the driven electrode exper

ences a negative bias with respect to the plasma causing positi

ions to be accelerated towards the wafer. This means that not only

is there chemical reaction causing removal of the metallization but

also ion-enhanced chemical etching and physical sputtering to the

vertical etching essential for precise replication of the resist pat

tern. Dry processing has the added benefits of easily handled pro

cess materials, easy automation and good reproducibility

Results (Russian) 1:

По этим причинам прямой записи Электронная литография-provING неоценимое значение в области применения конкретных или semicustomинтегральные схемы этот метод позволяет быстрый поворот, высокийгибкость и сравнительно низкой стоимости для очень малых пакетов. В adтого, короткие волны электронно лучевые предлагает очень высокое разрешениекучность резолюции и поэтому может быть необходимым где субмикронных ВЭДТурес не требуется. Несмотря на возможность низкой повсюду, e лучсозданные шаблоны позволяют либо простой пластины шкала интеграции илиустройства для нескольких клиентов возможно с различными судебного разбирательствапроекты будут осуществляться на одной вафли. Основным преимуществомe брус высокого разрешения способности будет недействительным, еслипротивостоять шаблона не могут быть воспроизведены очень точно, на metalli -зации слой. По этой причине влажные травления металла с ее вHerent подрывает особенно подходит и плазмы-процесс -ING становится необходимым. Реактивного ионного травления — это тип плазмыОфорт, где Вафля помещается на электрод, который является capaciтельное сочетании ВЧ генератора. Второй электрод размером болееЭто один управляемый обоснована и Плазма создается по электроннойвозбуждение газа низкого давления, содержащиеся между ними. ArЭто rangement системы такова, что привод электрода эксперМатериалы негативного предвзятости в отношении плазмы, вызывая грядущееионов необходимо ускорить к пластины. Это означает, что не толькоЕсть ли химическая реакция, вызывая удаления металлизации, нотакже Ион расширение химическое травление и физическим напылением длявертикальные травления существенно важное значение для точной репликации противостоять ПЭТТЕАС. Сухая обработка имеет дополнительные преимущества легко обрабатываются proСесс материалы, простой автоматизации и хорошая воспроизводимость

Results (Russian) 2:

По этим причинам, электронно-лучевой литографии с непосредственным записи является пров ING бесценным в области применения специфических или полузаказных интегральных схем Эта техника позволяет быстро выполнять заказы, высокую гибкость и сравнительно низкую стоимость для очень маленьких партий. В рекламном условие, на короткую длину волны электронного пучка предлагает очень высокое разрешение способность по кучность и так может быть существенным, где субмикронного FEA требуются вания. Несмотря на возможность низком уровне в течение, электронно-лучевой структуры генерируется позволяющих либо простую интеграцию или Микроэлектронная устройств в течение нескольких клиентов каждый возможно с различными пробных образцов, которые будут осуществлены на одной пластине. Основным преимуществом по возможности высокого разрешения E-балки будут сведены к нулю, если сопротивляться узор не может быть очень точно воспроизведена на metalli- зации слоя. По этой причине, мокрого травления металла с его в рентного подрезов особенно непригодна и плазменно-Процесс- ING становится необходимым. Реактивное ионное травление представляет собой тип плазменного травления, где пластина помещается на электроде, который является Capaci тивно соединен с радиочастотным генератором. Второй электрод больше, чем данной ведомой одному заземлен, а плазма генерируется путем электронного возбуждения низким давлением газа, заключенного между ними. Ар пировки системы такова, что ведомая электрод Exper тывает отрицательное смещение по отношению к плазме, вызывающей positi ионы ускоряться в сторону пластины. Это означает, что не только существует химическая реакция вызывает удаление металлизации но также ионо- химического травления и физической распыления в вертикальном травления, необходимой для точного репликации резиста погладить крачка. Сухая обработка имеет дополнительные преимущества легко обрабатываемых про цесса материалов, легкой автоматизации и хорошей воспроизводимостью

Results (Russian) 3:

по этим причинам пучка электронов прямой писать литография - PROVING неоценимую помощь в области применения конкретных или semicustomинтегральные схемы этот метод позволяет быстро поворот, высокийгибкость и сравнительно низкая стоимость для небольших партий.в адиздание, короткие волны пучка электронов предлагает очень высокого разрешенияи это может иметь важное значение резолюции рисунка, где субмикронных феатурес не требуется.несмотря на возможность низким в течение всего, e-beamподготовлено модели позволяют либо просто вафельные масштабах интеграции илиустройства для несколько клиентов, которых, возможно, с различными судебного разбирательствапроекты будут осуществляться на одном вафли.основное преимуществоиз e-beam высокая разрешающая способность аннулируются, еслисопротивление модель не может быть очень точно воспроизводится на metalli -zation слой.по этой причине мокрые травление металла с ее вherent подрывает особенно неподходящими и плазменных процесса -ING становится необходимым.реактивный ион офорт - это вид плазмыофорт, где вафли уделяется электрод, капачиtively в сочетании с рф генератор.второй электрод больше, чемэто на один базируется и плазменной создается с помощью электронныхвозбуждение от низкого давления газа, содержащегося в отношениях между ними.арrangement этой системы заключается в том, что на площади Experences негативные предубеждения в отношении к positi плазмыионов будет активизирована на вафли.это означает, что не толькоесть химическая реакция, причиной снятия metallization нотакже ионо - химического травления и физической по швам наважное значение для точного воспроизведения вертикальной травление в сопротивление, пэткрачка.без обработки имеет дополнительные преимущества, легко справились Proсессе материалов, легко автоматизации и хорошей воспроизводимости