2.1.2.3. Chemical vapor deposition

2.1.2.3. Chemical vapor deposition (CVD). The fabrication of graphene-modified
electrodes and graphene-FET devices for sensing
applications requires bulk production of large-area graphene films.
Chemical vapor deposition on transition metal substrates like Ni
(Obraztsov et al., 2007), Pd (Hamilton and Blakely, 1980), Pt
(Zi-Pu et al., 1987) and Cu (Mattevi et al., 2011) is a promising,
cost-effective and high-throughput method for synthesizing
large-area graphene films with relatively fewer defects. CVD synthesis
of graphene, simply put, is the subsequent diffusion and surface
segregation of carbon atoms, obtained during the thermal
decomposition of introduced hydrocarbons, upon cooling of the
carbon–metal solid solution (Fig. 2). In particular, CVD synthesis
of graphene on Cu has gathered the most interest due to low solubility
of carbon in copper. This method gives control over the grain
size, crystallinity and number of graphene layers by regulating the
gas flow rate, growth time and cooling rate. The defect-free transfer
of graphene onto desired substrates has also been studied in
depth (Srivastava et al., 2010). This makes integration of graphene
with conventional Si-based electronics much easier and serves as a
platform for fabrication of miniaturized biosensors.

Results (Thai) 1:

2.1.2.3 ไอเคมีสะสม (CVD) การผลิตของ graphene แก้ไขอิเล็กโทรดและ graphene FET อุปกรณ์สำหรับตรวจวัดโปรแกรมประยุกต์ต้องผลิตจำนวนมากของ graphene พื้นที่ใหญ่ภาพยนตร์ไอสารเคมีสะสมบนพื้นผิวโลหะทรานซิชันเช่น Ni(Obraztsov et al. 2007), Pd (แฮมิลตันและ Blakely, 1980), Pt(Pu ซิ et al. 1987) และ Cu (Mattevi et al. 2011) มีแนวโน้มวิธีการประหยัด และความ เร็วสูงสำหรับการสังเคราะห์ภาพยนตร์ graphene พื้นที่ขนาดใหญ่ มีข้อบกพร่องค่อนข้างน้อย CVD สังเคราะห์ของ graphene เพียงแค่ใส่ การกระจายและพื้นผิวคาร์บอนอะตอม ระหว่างความร้อนที่ได้รับการแบ่งแยกแยกส่วนประกอบของไฮโดรคาร์บอนที่นำ เมื่อเย็นของการโซลูชันของแข็งคาร์บอน – โลหะ (รูป 2) ในการสังเคราะห์ CVD เฉพาะของ graphene ใน Cu ได้รวบรวมความสนใจมากที่สุดเนื่องจากการละลายต่ำคาร์บอนในทองแดง วิธีนี้ช่วยให้ควบคุมเมล็ดขนาด ผลึก และจำนวนของ graphene ชั้นโดยควบคุมการก๊าซอัตราการไหล การเจริญเติบโต และอัตราการระบายความร้อน การถ่ายโอนที่ปราศจากข้อบกพร่องของ graphene ลงบนพื้นผิวที่ต้องการได้นอกจากนี้ยังได้รับการศึกษาในความลึก (Srivastava et al. 2010) ทำให้รวมของ grapheneโดยทั่วไปใช้ในอิเล็กทรอนิกส์มากขึ้นและเป็นการแพลตฟอร์มสำหรับผลิตของพื้นที่ biosensors

Results (Thai) 2:

2.1.2.3 ไอของสารเคมีในการสะสม (CVD) ประดิษฐ์ของแกรฟีนที่ปรับเปลี่ยน
ขั้วไฟฟ้าและอุปกรณ์ graphene-FET สำหรับการตรวจจับ
การใช้งานต้องมีการผลิตจำนวนมากของภาพยนตร์ graphene ขนาดใหญ่พื้นที่.
สะสมไอเคมีกับพื้นผิวโลหะการเปลี่ยนแปลงเช่น Ni
(Obraztsov et al., 2007), Pd (แฮมิลตันและเบลกลี 1980 ), Pt
(Zi-PU et al., 1987) และทองแดง (Mattevi et al., 2011) เป็นแนวโน้ม
ค่าใช้จ่ายที่มีประสิทธิภาพและสูงผ่านวิธีการสำหรับการสังเคราะห์
ฟิล์มกราฟีนพื้นที่ขนาดใหญ่ที่มีข้อบกพร่องค่อนข้างน้อย การสังเคราะห์ CVD
ของแกรฟีนใส่ก็คือการแพร่กระจายและพื้นผิวที่ตามมา
แยกอะตอมของคาร์บอนที่ได้รับในช่วงที่ความร้อน
จากการสลายตัวของสารไฮโดรคาร์บอนแนะนำเมื่อการระบายความร้อนของ
สารละลายของแข็งคาร์บอนโลหะ (รูปที่. 2) โดยเฉพาะอย่างยิ่งการสังเคราะห์ CVD
ของแกรฟีนใน Cu ได้รวบรวมความสนใจมากที่สุดเนื่องจากการละลายต่ำ
ของคาร์บอนทองแดง วิธีการนี้จะช่วยให้การควบคุมมากกว่าข้าว
ขนาดผลึกและจำนวน graphene ชั้นโดยควบคุม
อัตราการไหลของก๊าซเวลาการเจริญเติบโตและอัตราการเย็นตัว การโอนปราศจากข้อบกพร่อง
ของกราฟีนลงบนพื้นผิวที่ต้องการนอกจากนี้ยังได้รับการศึกษาใน
เชิงลึก (Srivastava et al., 2010) นี้จะทำให้การรวมกลุ่มของแกรฟีน
ที่มีการชุมนุมอิเล็กทรอนิกส์ Si-based ง่ายมากและทำหน้าที่เป็น
แพลตฟอร์มสำหรับการผลิตไบโอเซนเซอร์ขนาดจิ๋ว

Results (Thai) 3:

2.1.2.3 . chemical vapor deposition ( CVD ) การประดิษฐ์ดัดแปลงของกราฟีนขั้วไฟฟ้าและอุปกรณ์สำหรับตรวจจับเฟต กราฟีนงานเปิดตัวภาพยนตร์มีการผลิต graphene เป็นกลุ่มตกสะสมไอเชิงเคมีในการเปลี่ยนโลหะพื้นผิวเหมือนนิ( obraztsov et al . , 2007 ) , PD ( Hamilton และเบลครี่ย์ , 1980 ) , พ.( ซีพียู et al . , 1987 ) และ Cu ( mattevi et al . , 2011 ) เป็นสัญญาช่วยประหยัดต้นทุน และวิธีการสังเคราะห์เปิดตัวกราฟีนภาพยนตร์กับข้อบกพร่องค่อนข้างน้อยกว่า การสังเคราะห์ ซีวีดีของกราฟีน เพียงแค่ใส่ คือการแพร่กระจายตามมาและพื้นผิวการกระจายตัวของอะตอมคาร์บอนที่ได้รับในความร้อนการใช้สารไฮโดรคาร์บอน เมื่อความเย็นของสารละลายของแข็งคาร์บอนและโลหะ ( รูปที่ 2 ) โดยเฉพาะการสังเคราะห์ซีวีดีของกราฟีนที่จุฬาฯ ได้รวบรวมความสนใจมากที่สุดเนื่องจากความสามารถในการละลายต่ำถ่านทองแดง วิธีนี้จะช่วยให้ควบคุมเม็ดขนาดของผลึกและจํานวนของกราฟีนชั้นโดยการควบคุมอัตราการไหลของแก๊ส , เวลา อัตราการเจริญเติบโต และอัตราการระบายความร้อน ข้อบกพร่องฟรีโอนของกราฟีนลงบนพื้นผิวที่ต้องการได้นอกจากนี้ได้ศึกษาในความลึก ( ศรีวัสทวา et al . , 2010 ) นี้จะทำให้การรวมกลุ่มของกราฟีนกับ ซี ปกติใช้ Electronics มากขึ้นและให้บริการเป็นแพลตฟอร์มสำหรับการขนาดเล็กของไบโอเซนเซอร์ .