InAs/AlSb quantum wells are an idea

InAs/AlSb quantum wells are an ideal medium to study the low-temperature transport properties in InAs itself. With gate-induced electron sheet concentrations on the order 1012 cm−2, they exhibit a pronounced conductivity quantization. The very deep wells (1:35 eV) provide excellent electron confinement, and also permit modulation doping up to at least 1013 electrons cm−2. Because of the very low e;ective mass in InAs, heavily doped wells are essentially metals, with Fermi energies around 200 meV, and Fermi velocities exceeding 108 cm s−1. Contacted with superconducting electrodes, such structures can act as superconductive weak links

Results (Vietnamese) 1:

InAs/AlSb lượng tử wells là một phương tiện lý tưởng để nghiên cứu các tính chất truyền tải nhiệt độ thấp trong InAs chính nó. Với nồng độ tấm gây ra cổng điện tử trên cm−2 thứ tự 1012, họ thể hiện sự lượng tử hóa dẫn phát âm. Wells rất sâu (1:35 eV) cung cấp tuyệt vời điện tử tù, và cũng cho phép điều chế doping đến ít 1013 điện tử cm−2. Vì e rất thấp; khối lượng ective trong InAs, sườn nặng nề wells là về cơ bản các kim loại với Fermi nguồn năng lượng xung quanh thành phố 200 meV và Fermi vận tốc vượt quá 108 cm s−1. Liên lạc với các siêu dẫn điện cực, cấu trúc như vậy có thể hoạt động như là liên kết yếu superconductive

Results (Vietnamese) 2:

Inas / AlSb giếng lượng tử là một phương tiện lý tưởng để nghiên cứu tính chất vận chuyển ở nhiệt độ thấp trong Inas chính nó. Với nồng độ electron tấm cửa gây ra trên thứ tự 1012 cm-2, chúng thể hiện một dẫn lượng tử hóa rõ rệt. Các giếng rất sâu (1:35 eV) cung cấp giam electron tuyệt vời, và cũng cho phép điều chế doping lên đến ít nhất 1.013 electron cm-2. Bởi vì của e rất thấp; khối ective trong Inas, giếng rất nhiều pha tạp yếu là kim loại, với năng lượng Fermi khoảng 200 meV, và vận tốc Fermi vượt quá 108 cm s-1. Liên hệ với các điện cực siêu dẫn, cấu trúc như vậy có thể hoạt động liên kết yếu như siêu dẫn