interface with energy states in the

interface with energy states in the silicon forbidden bandgap. The interface trap density,
" i.e., number of interface traps per unit area and per eV, is orientation dependent. In (100) orientation, the interface trap density is about an order of magnitude smaller than that
in (111) orientation. Present-day MOS diodes with thermally grown silicon dioxide on
silicon have most of the interface-trapped charges passivated by low-temperature (450°C)
hydrogen annealing. The value of Q,,, for (100)-oriented silicon can be as low as 101

Results (Indonesian) 1:

antarmuka dengan energi Serikat silikon yang dilarang celah-jalur. Kepadatan perangkap antarmuka yang,"yaitu, jumlah antarmuka perangkap per satuan luas dan per eV, adalah orientasi tergantung. Dalam orientasi (100), rapatan perangkap antarmuka adalah tentang urutan besarnya lebih kecildalam orientasi (111). Dioda MOS sekarang dengan thermally tumbuh silikon dioksida padasilikon memiliki sebagian besar biaya antarmuka-terperangkap dengan oleh suhu rendah (450° C)pelunakan hidrogen. Nilai Q,,, untuk silikon (100) berorientasi dapat serendah 101