In this technique, pure periodic 90

In this technique, pure periodic 90 misfit dislocations (MDs) were self-organized at the GaSb/GaAs interface to relieve the strain energy for precise growth parameters and growth window

Results (Vietnamese) 1:

Trong kỹ thuật này, tinh khiết kỳ 90 misfit dislocations (MDs) đã tự tổ chức tại giao diện GaSb/GaAs để làm giảm năng lượng căng thẳng cho các thông số chính xác tăng trưởng và phát triển cửa sổ

Results (Vietnamese) 2:

Trong kỹ thuật này, trong sạch định kỳ 90? lệch misfit (MD) đã tự tổ chức tại giao diện GaSb / GaAs để giải tỏa năng lượng biến dạng cho thông số tăng trưởng chính xác và cửa sổ tăng trưởng