The Work Function DifferenceThe wor

The Work Function Difference
The work function of a semiconductor qqS, which is the energy difference between the
vacuum level and the Fermi level, varies with the doping concentration. For a
given metal with a fixed work function qqm we expect that the work function difference
qq, I (qqm - q&) will vary depending on the doping of the semiconductor. One of the
most common metal electrodes is aluminum, with qqm = 4.1 ev Another material also
used extensively is the heavily doped polycrystalline silicon (also called polysilicon). The
work function for n+- and pi.-polysilicon are 4.05 and 5.05 eV, respectively. Figure 8 shows
the work function differences for aluminum, nt-, and p+-polysilicon on silicon as the doping
is varied. It is interesting to note that 4, can vary over a 2 V range depending on the
electrode materials and the silicon doping concentration.
To construct the energy band diagram of an MOS diode, we start with an isolated
metal and an isolated semiconductor with an oxide layer sandwiched between them In this isolated situation, all bands are flat; this is the flat-band condition.

Results (Indonesian) 1:

Perbedaan fungsi kerjaFungsi kerja qqS semikonduktor, yang adalah energi perbedaan antaraVacuum tingkat dan tingkat Fermi, bervariasi dengan konsentrasi doping. Untukdiberikan logam dengan qqm tetap fungsi kerja kita mengharapkan bahwa pekerjaan berfungsi perbedaanQQ, aku (qqm - q &) akan bervariasi tergantung pada doping semikonduktor. Salah satuelektroda logam yang paling umum adalah aluminium, dengan qqm = 4.1 ev bahan lain jugadigunakan secara ekstensif adalah silicon polycrystalline berat terkotori (juga disebut polysilicon). Thefungsi kerja untuk n +- dan pi.-polysilicon adalah 4,05 dan 5.05 eV, masing-masing. Gambar 8 menunjukkanperbedaan fungsi kerja untuk aluminium, nt- dan p +-polysilicon pada silikon sebagai pengotoranbervariasi. Menarik untuk dicatat bahwa 4, dapat bervariasi selama rentang V 2 tergantung padaelektroda bahan dan silikon doping konsentrasi.Untuk membangun energi band diagram dioda MOS, kita mulai dengan sebuah terpencillogam dan semikonduktor terisolasi dengan lapisan oksida yang terjepit di antara mereka dalam situasi ini terisolasi, Semua band datar; ini adalah kondisi datar-band.