Набор уникальных свойств структур н

Набор уникальных свойств структур на основе HgCdTe делает их привлекательными и для приложений в терагерцовой оптоэлектронике. В работе [12] представлены неопубликованные измеренные и рассчитанные спектры поглощения в твердом растворе КРТ состава х = 0.2, из которых следует, что зависимость коэффициента поглощения от частоты является очень плавной (в отличие от приведенной на том же графике зависимости для сверхрешетки HgTe/CdHgTe с приблизительно такой же шириной запрещенной зоны). Размытие края поглощения связывается как с пологой зависимостью межзонной плотности состояний от частоты в объемном материале, так и с флуктуациями состава твердого раствора. "Свежие" исследования спектров и кинетики фотоотклика в эпитаксиальных структурах на основе КРТ в дальнем ИК/терагерцовом (ТГц) диапазонах были выполнены в работах авторов проекта [А12, А16, А17]. В частности, как в объемных структурах, так и в структурах с КЯ, выращенных методом МЛЭ на GaAs подложках наблюдалается резкая красная граница фотоэффекта, свидетельствующая о низком уровне неоднородности структур [А16, А17]. Кроме того, работы авторов проекта показали, что времена жизни носителей составляют от нескольких сотен наносекунд до единиц микросекунд для твердых растворов с долей кадмия 0.19 -- 0.23, что позволяет создавать на основе таких структур высокочувствительные длинноволновые фотоприемники вплоть до длин волн ~ 25 мкм. В настоящее время французской группой из Монпелье разрабатываются приемники для детектирования ТГц излучения плазменными волнами в полевых транзисторах на основе гетероструктур с HgTe КЯ.[А28]

Results (Russian) 1:

Набор уникальных свойств структур на УДК HgCdTe делает их привлекательными и для приложений в терагерцовой оптоэлектронике. В работе [12] м неопубликованные измеренные и рассчитанные спектры посредством в твердом растворе КРТ состава х = 0.2, из которых следует, что зависимость коэффициента посредством от частоты принести очень плавной (в отличие от приведенной на том же графике зависимости для сверхрешетки HgTe/CdHgTe с приблизительно такой же шириной запрещенной зоны). РАЗМЫТИЕ КРАЯ ПОСРЕДСТВОМ СВЯЗЫВАЕТСЯ КАК С ПОЛОГОЙ ЗАВИСИМОСТЬЮ МЕЖЗОННОЙ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ ОТ ЧАСТОТЫ В ОБЪЕМНОМ МАТЕРИАЛЕ, ТАК И С ФЛУКТУАЦИЯМИ СОСТАВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА. «СВЕЖИЕ» ИССЛЕДОВАНИЯ СПЕКТРОВ И КИНЕТИКИ ФОТООТКЛИКА В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ НА УДК КРТ В ДАЛЬНЕМ ИК/ТЕРАГЕРЦОВОМ (ТГЦ) ДИАПАЗОНАХ БЫЛИ ВЫПОЛНЕНЫ В РАБОТАХ АВТОРОВ ПРОЕКТА [А12, А16, А17]. В частности, как в объемных структурах, так и в структурах с КЯ, выращенных методом МЛЭ на GaAs подложках наблюдалается резкая красная граница фотоэффекта, свидетельствующая о низком уровне неоднородности структур [А16, А17]. КРОМЕ ТОГО, ЧИЛБОЛТОН АВТОРОВ ПРОЕКТА ПОКАЗАЛИ, ЧТО ВРЕМЕНА ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ СОСТАВЛЯЮТ ОТ НЕСКОЛЬКИХ СОТЕН НАНОСЕКУНД ДО ЕДИНИЦ МИКРОСЕКУНД ДЛЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ С ДОЛЕЙ КАДМИЯ 0,19 — 0,23, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ СОЗДАВАТЬ НА УДК ТАКИХ СТРУКТУР ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ДЛИННОВОЛНОВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ ВПЛОТЬ ДО ДЛИН ВОЛН ~ 25 МКМ. В настоящее время французской группой из Монпелье разрабатываются приемники для детектирования ТГц излучения плазменными волнами в полевых транзисторах на УДК гетероструктур с HgTe КЯ. [А28]

Results (Russian) 2:

Набор уникальных свойств структур на основе КРТ делает их привлекательными и для приложений в терагерцовой оптоэлектронике. В работе [12] представлены неопубликованные измеренные и рассчитанные спектры поглощения в твердом растворе КРТ состава х = 0,2, из которых следует, что зависимость коэффициента поглощения от частоты является очень плавной (в отличие от приведенной на том же графике зависимости для сверхрешетки HgTe / CdHgTe с приблизительно такой же шириной запрещенной зоны). Размытие края поглощения связывается как с пологой зависимостью межзонной плотности состояний от частоты в объемном материале, так и с флуктуациями состава твердого раствора. "Свежие" исследования спектров и кинетики фотоотклика в эпитаксиальных структурах на основе КРТ в дальнем ИК / терагерцовом (ТГц) диапазонах были выполнены в работах авторов проекта [А12, А16, А17]. В частности, как в объемных структурах, так и в структурах с КЯ, выращенных методом МЛЭ на GaAs подложках наблюдалается резкая красная граница фотоэффекта, свидетельствующая о низком уровне неоднородности структур [А16, А17]. Кроме того, работы авторов проекта показали, что времена жизни носителей составляют от нескольких сотен наносекунд до единиц микросекунд для твердых растворов с долей кадмия 0,19 - 0,23, что позволяет создавать на основе таких структур высокочувствительные длинноволновые фотоприемники вплоть до длин волн ~ 25 мкм. В настоящее время французской группой из Монпелье разрабатываются приемники для детектирования ТГц излучения плазменными волнами в полевых транзисторах на основе гетероструктур с КЯ HgTe. [А28]

Results (Russian) 3:

Набор уникальных свойств структур на и HgCdTe он их привлекательными и для приложений в терагерцовой оптоэлектронике.в работе [12] представлены неопубликованные измеренные и рассчитанные спектры поглощения в твердом растворе КРТ состава х = 0,2, из которых следует, что по коэффициента поглощения от частоты является очень плавной (в отличие от приведенной на том же графике зависимости для сверхрешетки hgte / cdhgte с приблизительно такой же шириной запрещенной зоны).чем Размытие поглощения связывается как с пологой зависимостью межзонной плотности состояний от частоты в объемном материале, так и с флуктуациями состава стали раствора ".Свежие "исследования спектров и кинетики фотоотклика в эпитаксиальных вас на и КРТ в дальнем ИК / терагерцовом (ТГц) диапазонах, выполнены в работах авторов проекта [а 12, а 16, а 17].в частности, как в объемных вас, так и в вас с КЯ, выращенных метод МЛЭ на GaAs подложках наблюдалается резкая красная граница фотоэффекта, свидетельствующая, низком друзей неоднородности и [а 16, а 17].кроме того, для этих авторов проекта, что времена. носителей составляют от нескольких сотен наносекунд к единиц микросекунд для твердых растворов с долей кадмия 0,19 - 0,23, что позволяет создавать на и. и высокочувствительные длинноволновые фотоприемники вплоть к длин волн ~ 25 мкм.в настоящее время французской группой из Монпелье разрабатываются приемники для детектирования ТГц в плазменными волнами в полевых транзисторах на и гетероструктур с hgte КЯ. [а 28]