Backside damage causes the growth o

Backside damage causes the growth of dislocations that radiate up into the wafer. These dislocations can act as a trap of mobile ionic contamination introduced into the wafer during the fab process.

where is the location

Results (Vietnamese) 1:

Mặt sau thiệt hại gây ra sự tăng trưởng của dislocations mà tỏa ra thành wafer. Những lệch có thể hành động như là một cái bẫy của điện thoại di động ô nhiễm ion được giới thiệu vào wafer trong quá trình fab.vị trí ở đâu